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公开(公告)号：CN108052149B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810010195.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN108052149A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810010195.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及信号发生电路。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN104423410B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410443119.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN104423410A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443119.6
申请日：2014-09-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: G01K7/01
Abstract: 本发明涉及信号发生电路和温度传感器。提供一种具有输出电压的短建立时间的信号发生电路。在PTAT信号发生电路中，调整电路连接在第0至第K个二极管的阴极和接地电压的线路之间，第0个二极管的阳极连接至第一节点，第一至第K个二极管的阳极经由电阻元件连接至第二节点，第一节点和第二节点被设定为相同电压，流经第0个二极管的第一电流和流经第一至第K个二极管的第二电流被设定为具有相同值，且流经调整电路的第三电流被设定为具有为各个第一电流和第二电流的2倍的值。
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公开(公告)号：CN101266981B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710185764.2
申请日：2007-12-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , G11C11/40
CPC classification number: G11C8/16 , G11C5/063 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C11/405 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , G11C2211/4016 , H01L21/84 , H01L27/0207 , H01L27/108 , H01L27/10802 , H01L27/1203 , H01L29/7841
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储装置。其中，由第1端口存取晶体管(ATA)和第2端口存取晶体管(ATB)、以及与这些存取晶体管公共结合的存储晶体管(DDST)构成一个存储单元。第1端口存取晶体管与该存储晶体管的第1电极(DNA)结合，第2端口存取晶体管与该存储晶体管的第3电极(DNB)结合。这些第1端口和第2端口存取晶体管分别在第1和第2端口字线选择时处于选择状态，将对应的存储晶体管的对应的第2和第3电极分别与第1和第2端口字线(BL2A、BL2B)结合。能够提供一种存储单元随着制造工艺的微细化而按比例缩小的双端口存储单元。
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