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    半导体器件及其制造方法
    1.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103247672A

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：CN201310044705.9

    申请日：2013-02-05

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 富松孝宏

    IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

    Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上，形成包含间层、HfON膜和HfSiON膜的栅极绝缘膜。然后，在HfSiON膜上，形成含Al膜和掩模层。随后，从n沟道MISFET形成区选择性去除掩模层和含Al膜。然后，在n沟道MISFET形成区中的HfSiON膜上形成含稀土元素膜。进行热处理以在n沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含稀土元素膜之间的反应并在p沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含Al膜之间的反应。之后，去除未反应的含稀土元素膜和掩模层，然后形成金属栅电极。

    拍摄装置的制造方法
    2.
    发明授权
    拍摄装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107994041B

    公开(公告)日：2021-12-31

    申请号：CN201711117791.6

    申请日：2012-10-29

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 神野健 ,  富松孝宏

    IPC: H01L27/146

    Abstract: 以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。

    摄像装置及其制造方法
    5.
    发明授权
    摄像装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103681714B

    公开(公告)日：2018-07-24

    申请号：CN201310404801.X

    申请日：2013-09-04

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 富松孝宏 ,  神野健 ,  川村武志

    IPC: H01L27/146

    CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

    Abstract: 本发明公开了一种摄像装置及其制造方法。一种可防止因波导与光电二极管的距离偏差、以及因射入光的反射抑制引起的光衰减而造成像素部的感光度劣化的摄像装置和制造方法。在像素区域PE中，形成有贯穿第四层间绝缘膜IF4等并到达侧壁绝缘膜SWI的波导WG。侧壁绝缘膜SWI为氧化硅膜与氮化硅膜的层叠结构。波导WG以贯穿侧壁绝缘膜的氮化硅膜并到达侧壁绝缘膜的氧化硅膜SWO的方式形成，或者以到达侧壁绝缘膜的氮化硅膜的方式形成。

    半导体器件及其制造方法
    6.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN103247672B

    公开(公告)日：2018-05-15

    申请号：CN201310044705.9

    申请日：2013-02-05

    Applicant: 瑞萨电子株式会社

    Inventor： 富松孝宏

    IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

    Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上，形成包含间层、HfON膜和HfSiON膜的栅极绝缘膜。然后，在HfSiON膜上，形成含Al膜和掩模层。随后，从n沟道MISFET形成区选择性去除掩模层和含Al膜。然后，在n沟道MISFET形成区中的HfSiON膜上形成含稀土元素膜。进行热处理以在n沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含稀土元素膜之间的反应并在p沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含Al膜之间的反应。之后，去除未反应的含稀土元素膜和掩模层，然后形成金属栅电极。

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