公开(公告)号：CN103703556B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201180072497.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 新居浩二 ,  薮内诚 ,  塚本康正 ,  增田健吾

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 在SRAM存储单元中的存取栅电极（AG1）的正下区域，以与源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（AHS），以与源极-漏极区域（SDB）相邻的方式形成有晕圈区域（AHB）。在激励栅电极（DG1）的正下区域，以与源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（DHS），以与源极-漏极区域（SDE）相邻的方式形成有晕圈区域（DHE）。晕圈区域（AHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域AHB）的杂质浓度高，晕圈区域（DHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域（DHE）的杂质浓度高。晕圈区域（AHB）的杂质浓度与晕圈区域（DHE）的杂质浓度不同。

公开(公告)号：CN103703556A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201180072497.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 新居浩二 ,  薮内诚 ,  塚本康正 ,  增田健吾

IPC: H01L21/8244 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659

Abstract: 在SRAM存储单元中的存取栅电极（AG1）的正下区域，以与源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（AHS），以与源极-漏极区域（SDB）相邻的方式形成有晕圈区域（AHB）。在激励栅电极（DG1）的正下区域，以与源极-漏极区域（SDS）相邻的方式形成有晕圈区域（DHS），以与源极-漏极区域（SDE）相邻的方式形成有晕圈区域（DHE）。晕圈区域（AHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域（AHB）的杂质浓度高，晕圈区域（DHS）的杂质浓度设定得比晕圈区域（DHE）的杂质浓度高。晕圈区域（AHB）的杂质浓度与晕圈区域（DHE）的杂质浓度不同。