公开(公告)号：CN101051641B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710092267.8

申请日：2007-04-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鸟羽功一 ,  石井泰之 ,  川岛祥之 ,  町田悟 ,  中川宗克 ,  齐藤健太郎 ,  松井俊一 ,  桥本孝司 ,  奥山幸祐

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7885

Abstract: 公开一种具有非易失存储器的半导体器件，其干扰缺陷能得到减少或防止。非易失存储器的存储单元具有存储栅电极，该存储栅电极通过用于电荷存储的绝缘膜而在半导体衬底的主表面上方形成。在存储栅电极的侧面上形成第一侧壁，并且在第一侧壁的侧面处形成第二侧壁。在存储单元中源极的n+型半导体区域的上表面上形成硅化层，其在存储栅电极MG侧上的端部分由第二侧壁限定。

公开(公告)号：CN101051652B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200710092268.2

申请日：2007-04-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 鸟羽功一 ,  石井泰之 ,  川岛祥之 ,  町田悟 ,  中川宗克 ,  桥本孝司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7885 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42328

Abstract: 提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的上表面上方，但不形成在存储栅电极的上表面上方。存储栅电极在其上表面上方具有由氧化硅制成的侧壁绝缘膜。该侧壁绝缘膜在用于在存储栅电极和控制栅电极的侧壁上方形成相应侧壁绝缘膜的同一步骤中形成。本发明使得可以提高具有非易失性存储器的半导体器件的产品成品率和性能。