树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN114729142A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202180006480.0

    申请日:2021-02-25

    Abstract: 本发明提供一种树脂膜,其为固化性的树脂膜,将厚度为0.5mm、宽度为4.5mm的所述树脂膜的固化物用作第一试验片,对第一试验片进行热机械分析,测定第一试验片的温度从‑75℃开始到成为与玻璃化转变温度相同的温度为止的所述第一试验片的线膨胀率α1时,所述α1为65ppm/K以下,所述热机械分析中,以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热,由此使第一试验片的温度从常温上升至100℃,接着以5℃/分钟的降温速度对第一试验片进行冷却,由此使第一试验片的温度下降至‑75℃,接着以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热,由此使第一试验片的温度上升至260℃。

    树脂膜、复合片及带第一保护膜的半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN114729142B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202180006480.0

    申请日:2021-02-25

    Abstract: 本发明提供一种树脂膜,其为固化性的树脂膜,将厚度为0.5mm、宽度为4.5mm的所述树脂膜的固化物用作第一试验片,对第一试验片进行热机械分析,测定第一试验片的温度从‑75℃开始到成为与玻璃化转变温度相同的温度为止的所述第一试验片的线膨胀率α1时,所述α1为65ppm/K以下,所述热机械分析中,以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热,由此使第一试验片的温度从常温上升至100℃,接着以5℃/分钟的降温速度对第一试验片进行冷却,由此使第一试验片的温度下降至‑75℃,接着以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热,由此使第一试验片的温度上升至260℃。

    带保护膜的芯片的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117561588A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202280045281.5

    申请日:2022-06-17

    Abstract: 本发明为一种带保护膜的芯片的制造方法,其具有:在减压环境下,将具备支撑片(11)与设置在支撑片(11)的一个面(11a)上的固化性树脂膜(12)的保护膜形成用片(1)中的固化性树脂膜(12)贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的工序;通过使贴附后的固化性树脂膜(12)固化,从而在上述晶圆的所述面上形成保护膜的工序;及通过将形成所述保护膜后的晶圆分割并切断所述保护膜,从而得到具备芯片与设置在所述芯片上的切断后的所述保护膜的带保护膜的芯片的工序,在晶圆的所述面上形成有成为晶圆的分割位置的沟槽。

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