公开(公告)号：CN114930504A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080090576.5

申请日：2020-12-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  B32B27/00 ,  H01L23/31 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。 在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。

公开(公告)号：CN115244654A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020576.2

申请日：2021-03-11

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。

公开(公告)号：CN118613909A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018732.0

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尧 ,  四宫圭亮 ,  贝沼玲菜

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且在给定条件下测定的凹部深度为5μm以上的热固性树脂膜、具备该热固性树脂膜的复合片、具有使用该热固性树脂膜形成的保护膜的半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN109312199A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780034368.1

申请日：2017-06-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尧 ,  小升雄一朗

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J7/30 ,  C09J133/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用粘合片，其具备基材和粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述基材的一面上，且由粘合剂组合物形成，其中，所述粘合剂组合物含有：具有反应性官能团(A1)的聚合物(A)、具有与反应性官能团(A1)不同的反应性官能团(B1)及能量线聚合性基团(B2)的聚合物(B)、与反应性官能团(A1)反应的交联剂(C)、以及与反应性官能团(B1)反应的交联剂(D)。

公开(公告)号：CN114930503A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080090569.5

申请日：2020-12-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。

公开(公告)号：CN114902377A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090603.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。

公开(公告)号：CN109312199B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201780034368.1

申请日：2017-06-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尧 ,  小升雄一朗

IPC: C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  C09J7/30 ,  C09J133/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用粘合片，其具备基材和粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述基材的一面上，且由粘合剂组合物形成，其中，所述粘合剂组合物含有：具有反应性官能团(A1)的聚合物(A)、具有与反应性官能团(A1)不同的反应性官能团(B1)及能量线聚合性基团(B2)的聚合物(B)、与反应性官能团(A1)反应的交联剂(C)、以及与反应性官能团(B1)反应的交联剂(D)。

公开(公告)号：CN112585723A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980053805.3

申请日：2019-10-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田久真也 ,  山田忠知 ,  根本拓 ,  森下友尧

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B24B41/06 ,  C09D201/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部，仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)～(E)：(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序；(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序；(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序；(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下，对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序；(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。