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公开(公告)号：CN116891614A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310305974.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08L33/08 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08K9/00 , C08K7/18 , C08K3/36 , C08J5/18
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，其中，对作为多片所述保护膜形成膜的层叠物的、宽度为4mm的第一试验片，在23～70℃的温度范围内测定储能模量E’时，其最小值E’(1)为45MPa以下，且其最大值E’(2)为200MPa以上，对作为使多片所述保护膜形成膜的层叠物热固化而得到的固化物的、宽度为5mm的第二试验片，在相同条件下测定储能模量E’时，其最小值E’(3)为500MPa以上。
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公开(公告)号：CN109937245B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201780070366.8
申请日：2017-10-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J11/06 , C09J133/08 , C09J133/14
Abstract: 本发明的半导体加工用粘合片依次具有基材、中间层及粘合剂层，其中，所述中间层是由中间层形成用组合物形成的层，并且所述粘合剂层为能量线固化性，所述中间层形成用组合物含有非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A)和重均分子量为5万～25万的能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B)，能量线固化后的中间层和粘合剂层在23℃下的弹性模量差为20MPa以下。
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公开(公告)号：CN112447573A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010872512.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 小升雄一朗
IPC: H01L21/683 , C09J7/20 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备基材，并在所述基材的一个面上依次且以相互接触的方式层叠有能量射线固化性粘着剂层及保护膜形成用膜，所述粘着剂层的凝胶分率为80％以上，或所述粘着剂层的凝胶分率为20％以上且小于80％，所述保护膜形成用复合片中，所述保护膜形成用膜的玻璃化转变温度为3℃以上。
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公开(公告)号：CN108307635B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680023562.5
申请日：2016-04-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J175/04 , C09J175/16 , H01L21/304
Abstract: 本发明的工件加工用胶粘带具备基材和设置于所述基材的一面侧的粘合剂层，其中，所述粘合剂层包含氨基甲酸酯类树脂(A)和能量线固化性化合物(B)，所述能量线固化性化合物(B)不与所述氨基甲酸酯类树脂(A)反应、且具有光聚合性不饱和键、分子量为35,000以下。
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公开(公告)号：CN107207920B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680007239.9
申请日：2016-01-12
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/29 , C09J7/30 , C09J121/00 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上、以及(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108307635A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201680023562.5
申请日：2016-04-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J175/04 , C09J175/16 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J175/04 , C09J175/16
Abstract: 本发明的工件加工用胶粘带具备基材和设置于所述基材的一面侧的粘合剂层，其中，所述粘合剂层包含氨基甲酸酯类树脂(A)和能量线固化性化合物(B)，所述能量线固化性化合物(B)不与所述氨基甲酸酯类树脂(A)反应、且具有光聚合性不饱和键、分子量为35,000以下。
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公开(公告)号：CN108174616A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201680057668.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00
CPC classification number: C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体加工用片具备基材、设于所述基材的一面上的凹凸吸收层、以及设于所述凹凸吸收层上的粘合剂层，其中，所述粘合剂层由能量线固化性粘合剂形成，所述粘合剂层在能量线固化后的断裂应力为10MPa以上。
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公开(公告)号：CN115139617A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210070810.9
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/36 , B32B27/08 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B27/32 , B32B27/30 , B32B7/12 , C09J7/29 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性的保护膜形成膜(13)，其含有能量射线固化性成分(a)，使所述保护膜形成膜进行能量射线固化并以260℃加热处理10分钟后的保护膜的重量(W3)相对于能量射线固化前的所述保护膜形成膜的重量(W0)的重量减少率(ΔW3)为3.0％以下，使所述保护膜形成膜进行能量射线固化后的、除无机填充材料以外的成分的凝胶分率为60％以上。
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公开(公告)号：CN108174616B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201680057668.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , C08F2/46 , C09J7/20 , C09J133/00
Abstract: 本发明的半导体加工用片具备基材、设于所述基材的一面上的凹凸吸收层、以及设于所述凹凸吸收层上的粘合剂层，其中，所述粘合剂层由能量线固化性粘合剂形成，所述粘合剂层在能量线固化后的断裂应力为10MPa以上。
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公开(公告)号：CN112625275A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011052837.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在芯片的背面形成保护膜，其中，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最大值Xmax与保护膜的150℃下的比热S150，并通过式：Z150＝Xmax/S150计算出的Z150为0.38以上，且利用所述Xmax与保护膜的200℃下的比热S200，并通过式：Z200＝Xmax/S200计算出的Z200为0.33以上。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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