-
公开(公告)号：CN119907283A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906647.0
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片，终端结构包括：N型衬底；设于N型衬底的结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环，结终端扩展区与结渐变掺杂区连接，结渐变掺杂区的深度沿远离结终端扩展区的方向渐变递减，多个场限环设于结渐变掺杂区远离结终端扩展区的一端，且多个场限环相对结渐变掺杂区的距离渐变递增；结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环内掺杂有P型离子；设于N型衬底的沟槽，沟槽设于距离结渐变掺杂区最远的场限环远离结渐变掺杂区的一侧。通过包括结终端扩展区、结渐变掺杂区、多个场限环、沟槽和多晶硅场板的复合终端结构，可以有效降低芯片最大电场强度，提升器件耐压性能。
-
公开(公告)号：CN119815877A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411729149.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括依次层叠的漏极金属层、衬底、外延层、栅极氧化层、栅极层、介质层和源极金属层；外延层的上表面包括间隔设置的离子注入区以及设置于相邻两个离子注入区之间的倒梯形沟槽；栅极氧化层的下部氧化层层叠于倒梯形沟槽的上表面且上表面与离子注入区的上表面平齐；栅极氧化层的上部氧化层层叠于下部氧化层的上表面且两端分别延伸并覆盖离子注入区上表面的第一区域；栅极层的宽度与上部氧化层的宽度相同；介质层层叠于栅极层的上表面和离子注入区上表面的第二区域。本申请实施例降低了金属氧化物半导体场效应管的开关损耗，并提高了其可靠性。
-
公开(公告)号：CN119412333A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411646406.7
申请日：2024-11-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: F04B49/06 , H02P21/18 , H02P27/08 , H02M3/04 , H02M1/42 , F25B49/02 , F24F11/46 , F04B49/20 , F04D27/00
Abstract: 本发明实施例涉及电子电力领域，公开一种压缩机控制装置及空调。其中，所述压缩机控制装置包括升压模块、压缩机驱动模块和控制模块，所述升压模块用于对所述直流电源提供的直流电压进行升压和功率校正；所述压缩机驱动模块用于根据所述升压模块输出的升压和功率校正后的直流电压驱动所述压缩电机工作；所述控制模块用于根据所述升压模块的给定升压电压以及所述升压模块的输入电流，生成第一控制信号，以控制所述升压模块的工作状态，还用于根据所述压缩机驱动模块输出的三相电流以及所述压缩电机的位置和转速，生成第二控制信号，以控制所述压缩机的工作状态。本发明通过提高压缩电机的供电电压可以减少空调的压缩机的能耗，以提升空调的能效。
-
公开(公告)号：CN118738132B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
-
公开(公告)号：CN117003565B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118763126B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
-
公开(公告)号：CN118824967A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410821120.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块及其制造方法、控制器和家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷基板、铜框架以及功率芯片，其中，所述陶瓷基板上开设有安装腔，所述铜框架内嵌于所述安装腔内。所述功率芯片安装于所述铜框架上，所述功率芯片产生的热量通过所述铜框架传递到所述陶瓷基板后，再通过所述陶瓷基板向外散发。由此，增加了陶瓷基板使得传递到铜框架上的芯片热量除了沿所述铜框架的底部传递之外，还可以沿所述铜框架的四侧进行热量传递，从而提高了所述智能功率模块的散热效率。
-
公开(公告)号：CN118676080A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410811208.5
申请日：2024-06-21
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括器件本体、塑封体以及散热柱，其中，所述塑封体对所述器件本体形成包裹，所述塑封体靠近所述器件本体的背面的端面上开设有导热孔。所述散热柱内嵌于所述导热孔内，且与所述导热孔螺纹固定。由此，可以在对所述器件本体进行封装时，增加所述塑封体的厚度，避免注塑不良。在此基础上通过导热性能优于所述塑封体的散热柱进行辅助散热，并提高了绝缘栅双极型晶体管的运行稳定性。
-
公开(公告)号：CN117423626A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302533.0
申请日：2023-10-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆加工方法和晶圆，所述晶圆加工方法包括在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；本发明实施例通过增加晶圆衬底的隔离保护层和应力调整层，可以增强加工时晶圆抗翘曲强度，优化晶圆翘曲，且不对原晶圆产生影响，保证晶圆的生产质量。
-
公开(公告)号：CN117003565A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310943667.4
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: C04B35/622 , C04B35/10
Abstract: 本发明提供的一种复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板。所述复合陶瓷基板的制造方法包括提供第一生坯膜，第一生坯膜为氧化铝生坯膜；提供第二生坯膜，第二生坯膜由包括氧化铝和钇稳定氧化锆的第一混合料制成；提供第三生坯膜，第三生坯膜由包括氧化铝和氧化镧的第二混合料制成；通过第一生坯膜、第二生坯膜以及第三生坯膜层叠制造具有多层结构的复合坯体，其中，在复合坯体中，第一生坯膜设置在所述第二生坯膜和所述第三生坯膜之间，以将第二生坯膜和第三生坯膜隔开；对复合坯体进行烧结处理，从而得到具有叠层结构的复合陶瓷基板。根据本发明提供的复合陶瓷基板的制造方法，获得的复合陶瓷基板抗弯强度显著增强，力学性能优异。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.037 seconds)
