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公开(公告)号：CN1739923A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510086475.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN101029838A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710064142.4
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 单片集成的硅胎压温度传感器属于压力传感器以及温度传感器制造领域，其特征在于：它是一种由做在硅膜上的由应力引起电阻阻值变化的压力敏感元件以及做在同一个芯片厚体硅上的由温度引起电阻阻值变化的温度敏感元件组成的单片集成的压力温度集成传感器，所述的压力敏感元件分布在应力集中区；而温度敏感元件分布在非应力敏感区。该集成传感器的压力敏感元件的输出和压力值直接相关；该集成传感器的温度敏感元件的输出和温度值直接相关。它具有单片集成、制作简单、运行可靠的优点。
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公开(公告)号：CN1254567C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310117188.X
申请日：2003-12-05
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/00
Abstract: 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。
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公开(公告)号：CN100427641C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510086476.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/00
Abstract: 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力源的变速马达(自带或附加减速器)、与该变速马达相连接的密封磁扭力传输组件，带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构，因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN101034021A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710064141.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1546743A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310117188.X
申请日：2003-12-05
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/00
Abstract: 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。
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公开(公告)号：CN1224085A
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：CN98111717.1
申请日：1998-12-25
Applicant: 清华大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外反射板组成。本发明具有加热温度均匀,可外延大面积厚度均匀半导体片,且低成本、高效率,易于工业实用化批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN101409228B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810227378.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 中电华清微电子工程中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖及其密封阀门，还包括固定有石英片托的机械手及驱动机构；在双层石英腔外还设置有可移动热挡板，该热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。本发明可使半导体片迅速升降温，实现真正的尖峰退火。该热处理腔加热半导体片温度均匀、范围宽，加热半导体片升温速率和降温速率快，半导体片尺寸任意大小，生产效率高。
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公开(公告)号：CN101250691A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810103811.9
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四－乙二醇二甲醚4ml，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95％，厚度为1500埃。
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公开(公告)号：CN100356505C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200310112926.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
Abstract: 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备属于超大规模集成电路(ULSI)工艺技术领域，其特征在于，它主要包含有：竖立安装的热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构；还包含片盒到片盒取送片机械手子系统、微机控制子系统、测控温子系统、气路装置、加热电源。热处理腔主要由竖立式圆筒石英(碳化硅)加热腔，在腔内(或腔外)的上端平板石墨加热器，侧面圆筒石墨加热器等组成。将热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构等竖立安装，充分利用高度空间，缩小设备平面占地面积。竖立式热处理腔内从上到下的不同水平面可获得温度从高到低逐渐下降的等温区，控制半导体晶片上升下降的速度可得到晶片不同的升降温速率。
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