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公开(公告)号:CN103708817B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201310701728.2
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G7/06 , C04B35/26 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种高耐压无铅高温铁电陶瓷陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)BiFeO3-xBaTiO3+[5%Bi2O3+1%MnO2+0.5%ZnO+1%Nb2O5],其中x表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN103803966A
公开(公告)日:2014-05-21
申请号:CN201310701726.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102005273A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010297410.9
申请日:2010-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C7/04 , H01C17/065
Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法,主要复合成分有两种组合方式:无机相Ⅰ组合方式为:(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3,0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率);无机相Ⅱ组合方式为:(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O,0.3≤m≤0.65,0.05≤l≤0.3,m、l为摩尔比率,将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀,形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上,经过放平,烘烤,预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750~850℃下烧结,保温40~80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单,成膜温度低,膜厚度在10~100μm内,热敏常数值介于2500~5500K之间,室温电阻率处于150Ω·cm~10MΩ·cm范围内,耐老化时间超过800小时。
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公开(公告)号:CN103632780B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201310654586.9
申请日:2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻,包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对,以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案;其中,电极对包括第一电极和第二电极,所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支,所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支,所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中;所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端,粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
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公开(公告)号:CN103646739A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201310651609.0
申请日:2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C17/245 , H01C7/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法。所述的薄膜热敏电阻包括绝缘衬底,设置在绝缘衬底上的一对电极对,以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案。本发明通过设计特殊结构的电极对,同时在用于调节阻值的金属性图案上同时设计有用于微调阻值的微调切割部和用于粗调阻值的粗调切割部,并将所述的粗调切割部分别穿插于电极对中的第一电极的凸部结构中,使得在将所述的粗调切割部切削后可以起到较大范围的调整阻值的作用;而微调切割部则可以起到微调阻值的作用,因此,本发明所述薄膜热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
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公开(公告)号:CN103632780A
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201310654586.9
申请日:2013-12-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻,包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对,以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案;其中,电极对包括第一电极和第二电极,所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支,所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支,所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中;所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端,粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。
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公开(公告)号:CN102005273B
公开(公告)日:2012-08-08
申请号:CN201010297410.9
申请日:2010-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C7/04 , H01C17/065
Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法,主要复合成分有两种组合方式:无机相Ⅰ组合方式为:(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3,0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率);无机相Ⅱ组合方式为:(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O,0.3≤m≤0.65,0.05≤l≤0.3,m、l为摩尔比率,将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀,形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上,经过放平,烘烤,预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750~850℃下烧结,保温40~80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单,成膜温度低,膜厚度在10~100μm内,热敏常数值介于2500~5500K之间,室温电阻率处于150Ω·cm~10MΩ·cm范围内,耐老化时间超过800小时。
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公开(公告)号:CN103803966B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310701726.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0
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