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公开(公告)号：CN117624632A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311697278.4
申请日：2023-12-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钾掺杂改性钴镍双金属有机框架CoNi‑MOF‑K，由乙酸钴、乙酸镍、1,2,3,4‑丁烷四羧酸合成CoNi‑MOF，然后，将产物与氯化钾进行水热反应，最终制得钾离子掺杂改性的钴镍双金属金属有机框架的电极材料，简称CoNi‑MOF‑K；CoNi‑MOF‑K的微观形貌为三维微球结构，微球表面由纳米片构成，形成密集的孔洞结构；所述电极材料比表面积24.3‑27.4cm2g‑1。其制备方法包括以下步骤：1，CoNi基前驱体溶液的制备；2，CoNi‑MOF‑K的制备。作为超级电容器的应用，在0‑0.55V范围内充放电，在电流密度为1A g‑1时，比容量达到900‑1400F g‑1；在8A g‑1时，电容保持率为72％。
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公开(公告)号：CN115274310B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210956639.1
申请日：2022-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多面体结构钴硫化物负载NiGa‑LDH电极材料，以硝酸钴和2‑甲基咪唑为原料合成ZIF‑67，再用硫代乙酰胺对ZIF‑67进行硫化，将产物与硝酸镍、硝酸镓和尿素进行水热反应，即可得到微观形貌为多面体结构的钴硫化物负载镍镓双金属氢氧化物的电极材料；其由ZIF‑67经水热反应硫化后的钴硫化物多面体和在其表面原位生长的片状结构的镍镓双金属氢氧化物构成。其制备方法包括以下步骤：1，多面体结构ZIF‑67的制备；2，多面体结构钴硫化物Co3S4的制备；3，镍镓双金属氢氧化物NiGa‑LDH的原位制备和负载。作为超级电容器的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1300‑1400 F/g；8 A/g相对于1 A/g下的电容保持率达到52%。
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公开(公告)号：CN117023653A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310831774.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH，以硝酸钴和2‑甲基咪唑为原料合成具有正十二面体结构的ZIF‑67，通过ZIF‑67和Ni(NO3)2·6H2O制备具有核壳结构的ZIF‑67@NiCo‑LDH，通过氯化锌与ZIF‑67@NiCo‑LDH进行反应，即可获得具有中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH。其制备方法包括以下步骤：1，正十二面体结构的ZIF‑67的制备；2，核壳结构的ZIF‑67@NiCo‑LDH的制备；3，中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH的制备。作为超级电容器的应用，在0‑0.5V范围内充放电，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1900‑2000F/g；10A/g相对于1A/g下的电容保持率达到73％。
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公开(公告)号：CN115274310A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210956639.1
申请日：2022-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多面体结构钴硫化物负载NiGa‑LDH电极材料，以硝酸钴和2‑甲基咪唑为原料合成ZIF‑67，再用硫代乙酰胺对ZIF‑67进行硫化，将产物与硝酸镍、硝酸镓和尿素进行水热反应，即可得到微观形貌为多面体结构的钴硫化物负载镍镓双金属氢氧化物的电极材料；其由ZIF‑67经水热反应硫化后的钴硫化物多面体和在其表面原位生长的片状结构的镍镓双金属氢氧化物构成。其制备方法包括以下步骤：1，多面体结构ZIF‑67的制备；2，多面体结构钴硫化物Co3S4的制备；3，镍镓双金属氢氧化物NiGa‑LDH的原位制备和负载。作为超级电容器的应用，在0‑0.5 V范围内充放电，在放电电流密度为1 A/g时，比电容为1300‑1400 F/g；8 A/g相对于1 A/g下的电容保持率达到52%。
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