公开(公告)号：CN104004007A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410063617.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹相喆 ,  樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  曹仑廷 ,  姜知那 ,  山田直树 ,  崔晶植

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 铝化合物由下式1表示。在式1中，X为由以下式2或式3表示的官能团。

公开(公告)号：CN111344294A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880072963.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  冈田奈奈 ,  畑濑雅子

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蒸气压高、熔点比以往已知的化合物低的钌化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该原料形成含有钌的薄膜的薄膜的制造方法。为了实现上述目的，提供一种下述通式所示的钌化合物、含有该钌化合物的薄膜形成用原料以及使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。(式中，R1～R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。其中，在R1为甲基的情况下，R2与R3为不同的基团。)

公开(公告)号：CN106660946A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580040201.7

申请日：2015-07-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  远津正挥

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08 ,  C07F15/06

Abstract: 本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。

公开(公告)号：CN113195784A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082940.0

申请日：2019-12-03

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。(式中，R1表示氢原子或碳原子数1～5的烷基。R2和R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。z1表示1～3的整数。)

公开(公告)号：CN110709381A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037348.4

申请日：2018-05-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩

IPC: C07C251/08 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～4的烷基，R3表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。)

公开(公告)号：CN106660946B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580040201.7

申请日：2015-07-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  远津正挥

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08 ,  C07F15/06

Abstract: 本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。

公开(公告)号：CN116529416A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077611.4

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)

公开(公告)号：CN116457918A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077618.6

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)

公开(公告)号：CN111032663A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880052124.0

申请日：2018-08-09

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 冈田奈奈 ,  畑濑雅子 ,  西田章浩 ,  樱井淳

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明在于提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R1表示氢原子或者碳原子数1～4的烷基，R2表示异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基，R3表示氢或者碳原子数1～4的烷基，R4表示碳原子数1～4的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的价数。但是，在M为镧原子的情况下，R2为仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基)。

公开(公告)号：CN104004007B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201410063617.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹相喆 ,  樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  曹仑廷 ,  姜知那 ,  山田直树 ,  崔晶植

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 铝化合物由下式1表示。在式1中，X为由以下式2或式3表示的官能团。