半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100456475C

    公开(公告)日:2009-01-28

    申请号:CN200510114108.4

    申请日:2005-10-24

    Abstract: 一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件,并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级,处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级,处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。

    半导体器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1763951A

    公开(公告)日:2006-04-26

    申请号:CN200510114108.4

    申请日:2005-10-24

    Abstract: 一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件,并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级,处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级,处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。

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