公开(公告)号：CN110352339A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201880013835.7

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  G01P15/12

Abstract: 具备：第一基板(10)，通过在另一表面(10b)侧形成凹部(11)，在一表面(10a)侧形成薄膜部(12)；第二基板(20)，在一表面(20a)中的与凹部(11)对置的部分形成凹陷部(20c)，第一基板(10)的凹部(11)及第二基板(20)的凹陷部(20c)为，将凹部(11)的底面的端部投影到第一基板(10)的一表面(10a)得到的投影线成为包围凹陷部(20c)的开口端的大小。并且，在薄膜部(12)中的第一基板(10)的另一表面(10b)侧的表面中，设与穿过凹陷部(20c)的开口端且沿相对于第一基板(10)的一表面(10a)的法线方向的延长线交叉的位置为特定位置，则在薄膜部(12)向凹陷部(20c)侧位移时，薄膜部(12)在特定位置处产生最大拉伸应力。

公开(公告)号：CN107209078B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN110352339B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201880013835.7

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  G01P15/12

Abstract: 具备：第一基板(10)，通过在另一表面(10b)侧形成凹部(11)，在一表面(10a)侧形成薄膜部(12)；第二基板(20)，在一表面(20a)中的与凹部(11)对置的部分形成凹陷部(20c)，第一基板(10)的凹部(11)及第二基板(20)的凹陷部(20c)为，将凹部(11)的底面的端部投影到第一基板(10)的一表面(10a)得到的投影线成为包围凹陷部(20c)的开口端的大小。并且，在薄膜部(12)中的第一基板(10)的另一表面(10b)侧的表面中，设与穿过凹陷部(20c)的开口端且沿相对于第一基板(10)的一表面(10a)的法线方向的延长线交叉的位置为特定位置，则在薄膜部(12)向凹陷部(20c)侧位移时，薄膜部(12)在特定位置处产生最大拉伸应力。

公开(公告)号：CN107209078A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006742.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法，其中，具有下述工序：准备含有硅的所述第1及第2基板，对所述第1及第2基板进行接合，进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理，在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中，使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中，以1℃/sec以下的升温速度进行加热，使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气，以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间，从而从所述气密室排出所述氢气。

公开(公告)号：CN111819428A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980017122.2

申请日：2019-03-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 早川裕 ,  与仓久则

IPC: G01L9/00 ,  H01L21/60 ,  H01L29/84

Abstract: 具备：基板(31)，具有一面(31a)；第1金属膜(36)，形成在一面上；绝缘膜(37)，在一面(31a)上以将第1金属膜(36)覆盖的状态形成，并形成有使第1金属膜(36)露出的接触孔(37a)；以及第2金属膜(38)，形成在从第1金属膜(36)中的从接触孔(37a)露出的部分到绝缘膜(37)中的接触孔(37a)的周围。并且，使焊盘部(34)为第1金属膜(36)和第2金属膜(38)被层叠的结构，在绝缘膜(37)形成作为应力降低构造(37b)的缝。

公开(公告)号：CN116507896A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202180069780.3

申请日：2021-10-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 城森知也 ,  阿部竜一郎 ,  小林太辅 ,  樋口贵史 ,  早川裕 ,  酒井峰一 ,  马渡和明 ,  小山友二 ,  田中昌明

IPC: G01L9/00

Abstract: 多个振动区域(22)为，振动区域(22)彼此之间通过狭缝(41)分离，狭缝(41)以构成使宽度从振动区域(22)中的与支承体(10)侧相反的一侧的一面(22a)侧向与该一面(22a)相反的一侧的另一面(22b)侧而变窄的锥部(42)的状态形成。电极膜(60)在对一面(22a)而言的法线方向上配置于比狭缝(41)靠内侧的位置，振动区域(22)中的构成锥部(42)的侧面(22c)和与一面(22a)平行的面(22b、Sv)所成的角度(θ1)为39°～81°。