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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100350598C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410078930.5
申请日：2004-09-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/33 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01043 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括：发热器元件(10、11)；第一散热器(30)，设置在发热器元件(10，11)的一侧；第二散热器(40)，设置在发热器元件(10、11)的另一侧；以及树脂模型(80)，用于铸模发热器元件(10、11)以及第一和第二散热器(30、40)。第一散热器(30)包括第一热辐射表面(30a)，其相对于发热器元件(10、11)设置并且从树脂模型(80)中暴露出来。第二散热器(40)包括第二热辐射表面(40a)，其相对于发热器元件(10、11)设置并且从树脂模型(80)中暴露出来。第一和第二热辐射表面(30a、40a)在其间具有等于或者小于0.2mm的平行度。
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公开(公告)号：CN1599063A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410078930.5
申请日：2004-09-16
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/33 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01043 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括：发热器元件(10、11)；第一散热器(30)，设置在发热器元件(10，11)的一侧；第二散热器(40)，设置在发热器元件(10、11)的另一侧；以及树脂模型(80)，用于铸模发热器元件(10、11)以及第一和第二散热器(30、40)。第一散热器(30)包括第一热辐射表面(30a)，其相对于发热器元件(10、11)设置并且从树脂模型(80)中暴露出来。第二散热器(40)包括第二热辐射表面(40a)，其相对于发热器元件(10、11)设置并且从树脂模型(80)中暴露出来。第一和第二热辐射表面(30a、40a)在其间具有等于或者小于0.2mm的平行度。
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公开(公告)号：CN100452368C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510137357.5
申请日：2005-11-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，具有至少一个半导体元件，至少一个与所述半导体元件热连接的散热板，和一个覆盖与密封所述半导体器件和所述散热板的模制树脂，其中散热板的外主表面和邻接外主表面的至少部分侧表面从模制树脂暴露。
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公开(公告)号：CN115464546A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210565266.5
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。
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公开(公告)号：CN1815719A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510137357.5
申请日：2005-11-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，具有至少一个半导体元件，至少一个与所述半导体元件热连接的散热板，和一个覆盖与密封所述半导体器件和所述散热板的模制树脂，其中散热板的外主表面和邻接外主表面的至少部分侧表面从模制树脂暴露。
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