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公开(公告)号：CN112041954B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201980028595.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。
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公开(公告)号：CN110959188A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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公开(公告)号：CN119422388A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048534.9
申请日：2023-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: MEMS声学元件(101)具备：第一基板(51)，其具有第一通孔(51e)；第二基板(52)，其将第一通孔(51e)堵塞，以至少一部分重叠于第一基板(51)的方式配置；振动层(10)，其在第一基板(51)的与第二基板(52)相反的一侧以重叠于第一基板(51)的方式配置，配置成跨过第一通孔(51e)；树脂层(6)，其以重叠于振动层(10)的与第一基板(51)重叠的部分的方式配置；第一焊盘电极(41)；以及第二焊盘电极(42)。第一焊盘电极(41)及第二焊盘电极(42)配置于树脂层(6)的远离振动层(10)的一侧的面。振动层(10)包含：压电层(4)；作为第一电极层的上部电极层(5)，其以重叠于压电层(4)的远离第一基板(51)的一侧的面的方式配置；以及作为第二电极层的下部电极层(3)，其以重叠于压电层(4)的靠近第一基板(51)的一侧的面的方式配置。第一焊盘电极(41)与所述第一电极层电连接。第二焊盘电极(42)与所述第二电极层电连接。
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公开(公告)号：CN114981904A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009644.5
申请日：2021-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。
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公开(公告)号：CN112041954A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028595.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118120257A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280070074.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 声学器件(101)具备：基板，其具有第一面和朝向所述第一面的相反侧的第二面(2b)，并具有开口部(2e)；声学MEMS元件，其以覆盖开口部(2e)的方式固定于所述第一面；环状电极(16)，其在第二面(2b)以包围开口部(2e)的方式配置；以及阻焊剂层(17)，其在比环状电极(16)靠外侧处及靠内侧处，与环状电极(16)相邻地、以覆盖第二面(2b)的方式配置，以连结作为环状电极(16)的边缘的任一处所的第一部位(31)和作为所述基板的边缘的任一处所的第二部位(32)的方式，在阻焊剂层(17)设置有第一缺口部(21)。
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公开(公告)号：CN110959188B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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公开(公告)号：CN113841211A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080035634.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于，具有：基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
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公开(公告)号：CN111492471A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880082364.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , G01N27/16 , H01L21/316 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。
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公开(公告)号：CN114981904B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202180009644.5
申请日：2021-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01L23/532 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01G4/33
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。
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