公开(公告)号：CN111492471B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880082364.5

申请日：2018-12-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 松原弘 ,  泉谷淳子 ,  大江秀明 ,  根本益太郎

IPC: H01L21/822 ,  G01N27/16 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。

公开(公告)号：CN111492471A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880082364.5

申请日：2018-12-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 松原弘 ,  泉谷淳子 ,  大江秀明 ,  根本益太郎

IPC: H01L21/822 ,  G01N27/16 ,  H01L21/316 ,  H01L27/04

Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。