公开(公告)号：CN118120257A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280070074.5

申请日：2022-08-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 松原弘 ,  池内伸介 ,  丹羽亮介 ,  浅田隆广

IPC: H04R1/02 ,  B81B3/00 ,  H04R1/06 ,  H05K1/18

Abstract: 声学器件(101)具备：基板，其具有第一面和朝向所述第一面的相反侧的第二面(2b)，并具有开口部(2e)；声学MEMS元件，其以覆盖开口部(2e)的方式固定于所述第一面；环状电极(16)，其在第二面(2b)以包围开口部(2e)的方式配置；以及阻焊剂层(17)，其在比环状电极(16)靠外侧处及靠内侧处，与环状电极(16)相邻地、以覆盖第二面(2b)的方式配置，以连结作为环状电极(16)的边缘的任一处所的第一部位(31)和作为所述基板的边缘的任一处所的第二部位(32)的方式，在阻焊剂层(17)设置有第一缺口部(21)。

公开(公告)号：CN119301063A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380039062.0

申请日：2023-04-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 松原弘 ,  池内伸介 ,  丹羽亮介 ,  斋藤刚

IPC: B81B3/00 ,  H04R17/00 ,  H10N30/045 ,  H10N30/20 ,  H10N30/30 ,  H10N30/80 ,  H10N30/853

Abstract: MEMS元件(1)具备：压电元件(100)，包含压电膜(40)，该压电膜(40)包含铁电体，通过施加电压而进行振动；以及二极管部(200)，与上述压电元件(100)电并联连接，包含至少1个二极管(200A、210、220)。

公开(公告)号：CN118303038A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202280078024.1

申请日：2022-11-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池内伸介 ,  松原弘 ,  丹羽亮介

IPC: H04R17/00 ,  B81B3/00 ,  H04R1/28

Abstract: 具备声学设备(100)和声学路径(P)。声学设备(100)包含声学MEMS元件(120)。声学路径(P)与声学MEMS元件(120)相通。在声学路径(P)中，能够与通过声学MEMS元件(120)的振动而产生的超声波共鸣。超声波换能器(400)具有通过声学MEMS元件(120)的共振和由声学路径(P)产生的共鸣组合而出现多个声压峰值的声压频率特性。如果将声学MEMS元件(120)的共振频率设为f0，将上述声压频率特性中出现多个声压峰值的频率之中低于共振频率f0且最接近共振频率f0的频率设为fl，则满足5≤(f0‑fl)/f0×100≤33的关系。

公开(公告)号：CN119422388A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380048534.9

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹羽亮介 ,  池内伸介 ,  松原弘

IPC: H04R17/02 ,  B81B7/02 ,  H10N30/30 ,  H03H9/17 ,  H03H9/24

Abstract: MEMS声学元件(101)具备：第一基板(51)，其具有第一通孔(51e)；第二基板(52)，其将第一通孔(51e)堵塞，以至少一部分重叠于第一基板(51)的方式配置；振动层(10)，其在第一基板(51)的与第二基板(52)相反的一侧以重叠于第一基板(51)的方式配置，配置成跨过第一通孔(51e)；树脂层(6)，其以重叠于振动层(10)的与第一基板(51)重叠的部分的方式配置；第一焊盘电极(41)；以及第二焊盘电极(42)。第一焊盘电极(41)及第二焊盘电极(42)配置于树脂层(6)的远离振动层(10)的一侧的面。振动层(10)包含：压电层(4)；作为第一电极层的上部电极层(5)，其以重叠于压电层(4)的远离第一基板(51)的一侧的面的方式配置；以及作为第二电极层的下部电极层(3)，其以重叠于压电层(4)的靠近第一基板(51)的一侧的面的方式配置。第一焊盘电极(41)与所述第一电极层电连接。第二焊盘电极(42)与所述第二电极层电连接。

公开(公告)号：CN118056117A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280066663.6

申请日：2022-10-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹羽亮介

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

Abstract: 压力传感器构造(1)包括：传感器主体，其包含作为感测电极发挥功能的隔膜板(32)、与隔膜板(32)相对的基极(31)以及维持隔膜板(32)和基极(31)之间的间隙的侧壁层(20)；以及导电性的基体基板(10)，其用于支承该传感器主体。侧壁层(20)包含保护电极层(22)和将保护电极层(22)电绝缘的上侧保护电极绝缘层(21)和下侧保护电极绝缘层(23)。隔膜板(32)的外侧表面和侧壁层(22)的外侧表面被电绝缘膜(40)包覆。在电绝缘膜(40)设有保护电极层(22)的局部与外部空气相连的接触区域(CT)。利用这样的结构，能够抑制外部干扰的影响，能够实施高精度的压力测定。

公开(公告)号：CN113557419A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080019947.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 丹羽亮介 ,  吉田康一

IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

Abstract: 压力传感器(10)具有：基座基板(12)；第1绝缘层(14)，其设于基座基板(12)；固定电极(16)，其设于第1绝缘层(14)；侧壁部(18)，其设于第1绝缘层(14)，包围固定电极(16)；以及膜片(20)，其具备导电性，与固定电极(16)空开间隔地相对，并且支承于侧壁部(18)。侧壁部(18)包括配置于第1绝缘层(14)上的屏蔽电极(24)和配置于屏蔽电极(24)上的第2绝缘层(26)。固定电极(16)与膜片(20)之间的距离(L1)比屏蔽电极(24)与膜片(20)之间的距离(L2)小。