液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101424829B

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN200810173990.3

    申请日:2008-10-30

    CPC classification number: G02F1/13394 G02F1/13392 G02F2202/28

    Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位,以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置,以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中,球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理,以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域,并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此,可通过在干燥液体时移动球形隔离件,来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102681235B

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201210133219.X

    申请日:2008-10-30

    CPC classification number: G02F1/13394 G02F1/13392 G02F2202/28

    Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位,以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置,以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中,球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理,以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域,并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此,可通过在干燥液体时移动球形隔离件,来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101424829A

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200810173990.3

    申请日:2008-10-30

    CPC classification number: G02F1/13394 G02F1/13392 G02F2202/28

    Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位,以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置,以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中,球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理,以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域,并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此,可通过在干燥液体时移动球形隔离件,来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。

    半导体装置的制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号:CN102522504B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201110437252.7

    申请日:2007-10-31

    CPC classification number: H01L51/0022 H01L51/0533 H01L51/0545

    Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤:在透光衬底上形成栅电极;在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层;在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层;将所述栅电极用作掩模,且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层;通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分,形成有机聚合层;在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜;通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极;以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

    薄膜晶体管
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101667599A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910173699.0

    申请日:2009-09-07

    Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管,在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层,其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成,在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成,因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离,所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。

    半导体装置的制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号:CN101174675A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710184973.5

    申请日:2007-10-31

    CPC classification number: H01L51/0022 H01L51/0533 H01L51/0545

    Abstract: 本发明的一种半导体装置的制造方法包括如下步骤:在透光衬底上形成栅电极;在所述栅电极和所述衬底上形成包含无机材料的栅绝缘层;在所述绝缘层上形成包含光聚合反应基的有机层;将所述栅电极用作掩模,且通过将来自所述衬底的背面的光照射到所述有机层选择性地聚合所述有机层;通过去除所述有机层的聚合以外的剩余部分,形成有机聚合层;在形成了所述有机聚合层的区域以外的区域的所述栅绝缘层上形成具有水解基的有机硅烷膜;通过在所述有机聚合层上涂敷包含导电材料的组成物形成源电极及漏电极;以及在所述栅电极、所述源电极、以及漏电极上形成半导体层。

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