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公开(公告)号：CN101393919B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810149495.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。
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公开(公告)号：CN109888022A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910147853.0
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN109860278A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910147854.5
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN105264668B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201480026382.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/51 , H01L29/24
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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公开(公告)号：CN105264668A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480026382.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/092 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/517 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/78696
Abstract: 公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1582070B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200410055681.8
申请日：2004-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种蒸发淀积装置。该装置使用由价格低廉且加工容易的材料制成的用于蒸发淀积的容器，来蒸发淀积蒸发材料而不产生堵塞，因此能够稳定地执行蒸发淀积。在用于蒸发淀积的容器的侧面提供折叠式的结构。另外，使用于蒸发淀积的容器的盖子比蒸发源的开口部分还要大，并和加热部分直接连接。根据该结构，盖子的开口部分附近不容易被冷却，且不容易产生容器的胴体部分和盖子之间的温度差。所以，蒸发了的材料不会在开口部分堵塞，从而可以在长时间执行稳定的蒸发淀积，进一步实现蒸发淀积率的稳定化并提高生产性。
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公开(公告)号：CN1582070A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055681.8
申请日：2004-08-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/001 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种蒸发淀积装置。该装置使用由价格低廉且加工容易的材料制成的用于蒸发淀积的容器，来蒸发淀积蒸发材料而不产生堵塞，因此能够稳定地执行蒸发淀积。在用于蒸发淀积的容器的侧面提供折叠式的结构。另外，使用于蒸发淀积的容器的盖子比蒸发源的开口部分还要大，并和加热部分直接连接。根据该结构，盖子的开口部分附近不容易被冷却，且不容易产生容器的胴体部分和盖子之间的温度差。所以，蒸发了的材料不会在开口部分堵塞，从而可以在长时间执行稳定的蒸发淀积，进一步实现蒸发淀积率的稳定化并提高生产性。
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公开(公告)号：CN117529770A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280043744.4
申请日：2022-06-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括第一及第二晶体管、第一至第五开关、第一至第三电容器以及显示元件，其中，第一晶体管(M2)包括背栅极，第一晶体管的栅极与第一开关(M1)电连接，在第一晶体管的栅极与第一晶体管的源极之间包括第二开关(M3)及第一电容器(C1)，第一晶体管的背栅极与第三开关(M4)电连接，在第一晶体管的背栅极与第一晶体管的源极之间包括第二电容器(C2)，第一晶体管的源极与第四开关(M6)及第二晶体管(M5)的漏极电连接，第二晶体管的栅极与第五开关(M7)电连接，在第二晶体管的栅极与第二晶体管的源极之间包括第三电容器(C3)，并且，第二晶体管的源极与显示元件(61)电连接。
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公开(公告)号：CN116569673A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081385.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/131 , H10K59/123 , H10K50/856 , H10K59/124 , H10K71/00
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。显示装置包括呈现不同颜色的光的多个发光元件。发光元件可以实现微腔结构(微小共振器结构)，增强特定波长的光。呈现不同颜色的光的发光元件包括下部电极上的反射层及厚度不同的导电层，且下部电极与导电层在发光元件中电连接。分别形成由各光路长度增强不同颜色的光的发光元件。
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公开(公告)号：CN101393919A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149495.9
申请日：2008-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 提供一种半导体装置，其中示出在具有绝缘表面的衬底上其间夹着层间绝缘层层叠多个场效应晶体管。多个场效应晶体管分别具有半导体层，该半导体层是通过从半导体衬底剥离半导体层之后在衬底上接合该半导体层的步骤制造的。多个场效应晶体管分别由提供半导体层的应变的绝缘膜覆盖。再者，将半导体层的与其晶面平行的晶轴设定为半导体层的沟道长度方向，由此可以制造具有SOI结构的高性能化且及低耗电化的半导体装置。
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