公开(公告)号：CN105322008B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510446730.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 兼近将一 ,  上田博之 ,  富田英干

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。HEMT和SBD两者形成在氮化物半导体衬底上。氮化物半导体衬底包括HEMT栅结构区和阳极电极区。第一层叠结构至少形成在HEMT栅结构区中，且包括第一至第三氮化物半导体层。至少在阳极电极区的一部分中形成第二层叠结构，且包括第一和第二氮化物半导体层。阳极电极接触第二氮化物半导体层的正面。至少在其中第二氮化物半导体层的正面接触阳极电极的接触区中，第二氮化物半导体层的正面被精加工成第二氮化物半导体层与阳极电极形成肖特基结的表面。

公开(公告)号：CN105322008A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510446730.9

申请日：2015-07-27

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 兼近将一 ,  上田博之 ,  富田英干

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。HEMT和SBD两者形成在氮化物半导体衬底上。氮化物半导体衬底包括HEMT栅结构区和阳极电极区。第一层叠结构至少形成在HEMT栅结构区中，且包括第一至第三氮化物半导体层。至少在阳极电极区的一部分中形成第二层叠结构，且包括第一和第二氮化物半导体层。阳极电极接触第二氮化物半导体层的正面。至少在其中第二氮化物半导体层的正面接触阳极电极的接触区中，第二氮化物半导体层的正面被精加工成第二氮化物半导体层与阳极电极形成肖特基结的表面。

公开(公告)号：CN101150056A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710149595.7

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 兼近将一 ,  菊田大悟 ,  石黑修 ,  上杉勉 ,  加地彻 ,  杉本雅裕

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性和可再现性的p－型III族氮化物半导体的制造方法。在n－－GaN层表面上形成光刻胶掩模。接着，形成Mg膜以覆盖所述n－－GaN层和所述光刻胶掩模，并在所述Mg膜上形成Ni/Pt金属膜。之后，移除所述光刻胶掩模，由此使得所述Mg膜和所述金属膜仅保留在形成p－型区的部分n－－GaN层上。随后，当在氨气氛中在900℃下实施热处理3小时时，Mg扩散到n－－GaN层中并同时被活化。因此，形成p－型区。此后，利用王水移除所述Mg膜和所述金属膜。