公开(公告)号：CN104835834A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510055472.1

申请日：2015-02-03

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 上杉勉 ,  加地彻 ,  菊田大悟 ,  成田哲生

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。

公开(公告)号：CN101150056A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710149595.7

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 兼近将一 ,  菊田大悟 ,  石黑修 ,  上杉勉 ,  加地彻 ,  杉本雅裕

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2258 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种具有优异的可靠性和可再现性的p－型III族氮化物半导体的制造方法。在n－－GaN层表面上形成光刻胶掩模。接着，形成Mg膜以覆盖所述n－－GaN层和所述光刻胶掩模，并在所述Mg膜上形成Ni/Pt金属膜。之后，移除所述光刻胶掩模，由此使得所述Mg膜和所述金属膜仅保留在形成p－型区的部分n－－GaN层上。随后，当在氨气氛中在900℃下实施热处理3小时时，Mg扩散到n－－GaN层中并同时被活化。因此，形成p－型区。此后，利用王水移除所述Mg膜和所述金属膜。

公开(公告)号：CN104835834B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201510055472.1

申请日：2015-02-03

Applicant: 株式会社丰田中央研究所

Inventor： 上杉勉 ,  加地彻 ,  菊田大悟 ,  成田哲生

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。