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公开(公告)号：CN1269214C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200310118329.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L27/08 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。
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公开(公告)号：CN1277460A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00106967.5
申请日：2000-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11529 , H01L27/11543 , Y10S257/909
Abstract: 在同一衬底上边设置单元晶体管和外围晶体管的EEPROM中,即便各自栅极长度不同,也可以使后氧化量或退火的条件最佳化。例如,在用第1绝缘膜37覆盖栅极长度比外围CT的栅极电极41还短的单元晶体管ST一侧的状态下,在氧化气氛中进行退火。充分生长外围晶体管CT的源·漏扩散层42、43与栅极电极部分41重叠。在单元晶体管ST一侧抑制氧化的进行,使得抑制因后氧化而形成的鸟喙量的增加或因杂质的过度扩散所引起的短沟效应。
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公开(公告)号：CN1155095C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN00106967.5
申请日：2000-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11529 , H01L27/11543 , Y10S257/909
Abstract: 在同一衬底上边设置单元晶体管和外围晶体管的EEPROM中，即便各自栅极长度不同，也可以使后氧化量或退火的条件最佳化。例如，在用第1绝缘膜37覆盖栅极长度比外围CT的栅极电极41还短的单元晶体管ST一侧的状态下，在氧化气氛中进行退火。充分生长外围晶体管CT的源·漏扩散层42、43与栅极电极部分41重叠。在单元晶体管ST一侧抑制氧化的进行，使得抑制因后氧化而形成的鸟喙量的增加或因杂质的过度扩散所引起的短沟效应。
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公开(公告)号：CN1503364A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118329.X
申请日：2003-11-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L27/08 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。
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