公开(公告)号：CN1269214C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200310118329.X

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口直 ,  石田胜广 ,  角田弘昭 ,  饭塚裕久 ,  间博顕 ,  森诚一

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。

公开(公告)号：CN1503364A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118329.X

申请日：2003-11-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井口直 ,  石田胜广 ,  角田弘昭 ,  饭塚裕久 ,  间博顕 ,  森诚一

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。