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公开(公告)号：CN110021878A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN109802300B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811344710.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够在高输出时改善光学特性的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有半导体层叠体、上部电极、以及下部电极。半导体层叠体具有：活性层，具有产生子带间跃迁的量子阱层，并且放出红外激光；第一半导体层，设于活性层之上，并且具有凹部构成矩形光栅的光子晶体层；以及设于活性层的下方的第二半导体层。下部电极设于第二半导体层的下表面中的与上部电极重叠的区域。在俯视时，半导体层叠体具有包含光子晶体层的面发光区域、以及设有上部电极并且将面发光区域包围的电流注入区域。活性层产生子带间跃迁，能够通过二维衍射光栅产生光谐振，并且向面发光区域的垂直方向放出红外激光。
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公开(公告)号：CN108701964A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN108701964B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN109802300A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811344710.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够在高输出时改善光学特性的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有半导体层叠体、上部电极、以及下部电极。半导体层叠体具有：活性层，具有产生子带间跃迁的量子阱层，并且放出红外激光；第一半导体层，设于活性层之上，并且具有凹部构成矩形光栅的光子晶体层；以及设于活性层的下方的第二半导体层。下部电极设于第二半导体层的下表面中的与上部电极重叠的区域。在俯视时，半导体层叠体具有包含光子晶体层的面发光区域、以及设有上部电极并且将面发光区域包围的电流注入区域。活性层产生子带间跃迁，能够通过二维衍射光栅产生光谐振，并且向面发光区域的垂直方向放出红外激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109428262A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811029974.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
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公开(公告)号：CN101520527A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910007396.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12061
Abstract: 一种光波导电路，包括：形成在衬底上的下包层；形成在下包层上以将下包层分隔成第一部分和第二部分的第一光波导；形成在第一部分上的第二光波导，该第二光波导包括指向第一光波导的侧面的梢端部分，该梢端部分以渐缩的方式变窄；以及形成在第二部分上的第三光波导，该第三光波导包括指向第二光波导的梢端部分的梢端部分，该第三光波导的梢端部分以渐缩的方式变窄。
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公开(公告)号：CN114976857A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111042859.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种使光输出提高的面发光型半导体发光装置。面发光型半导体发光装置具有：第1半导体层；发光层，设置在上述第1半导体层上；第2半导体层，设置在上述发光层上；凹凸构造，设置在上述第2半导体层上；第1金属层，将上述凹凸构造覆盖；以及第2金属层，设置在上述凹凸构造与上述第1金属层之间。上述第2金属层设置在上述凹凸构造处的凹部的底面、凸部的上表面及上述凸部的侧面中的某1个上，上述第2金属层相对于从上述发光层辐射的光的反射率比上述第1金属层相对于上述光的反射率低。
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公开(公告)号：CN110011182B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810010147.7
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。
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公开(公告)号：CN110021878B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810014182.6
申请日：2018-01-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器。量子级联激光器具有活性层、第1包层和第2包层、以及光引导层。活性层具有多个注入量子阱区域和多个发光量子阱区域。各注入量子阱区域和各发光量子阱区域交替地层叠。所述第1包层和第2包层以从两侧夹持所述活性层的方式设置，具有比所述各发光量子阱区域的实效折射率低的折射率。所述光引导层以将所述活性层沿着层叠方向一分为二的方式配置。所述光引导层具有比所述各发光量子阱区域的所述实效折射率高的折射率，具有比所述各发光量子阱区域的量子阱层的全部的阱层的厚度大的厚度。
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