-
公开(公告)号：CN110050341B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/492 , H01L25/18 , H01L23/367
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
-
公开(公告)号：CN110050341A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075662.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。
-
公开(公告)号：CN104465579A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410061293.4
申请日：2014-02-24
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B23K35/24
CPC classification number: H01L23/481 , H01L24/04 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05655 , H01L2224/26152 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3201 , H01L2224/32058 , H01L2224/32227 , H01L2224/32505 , H01L2224/82101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83206 , H01L2224/83207 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置，包含半导体元件、布线层以及接合层。所述布线层包含Cu。所述接合层包含第一合金，该第一合金以实质上均匀的组分在所述半导体元件与所述布线层之间设置，是Cu与Cu以外的第一金属的合金。所述第一合金的熔点比所述第一金属的熔点高。
-
公开(公告)号：CN104465578A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410053381.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/24 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/04026 , H01L2224/05582 , H01L2224/05583 , H01L2224/05584 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，上述半导体装置包括半导体元件和金属膜。上述半导体元件具有第1面以及与第1面相反的一侧的第2面。上述金属膜设置在上述半导体元件的上述第2面。上述金属膜含Cr。上述半导体元件也可以含有动作确保温度比Si的动作确保温度高的材料。
-
公开(公告)号：CN103681527A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310061142.4
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76841 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29166 , H01L2224/2917 , H01L2224/29171 , H01L2224/29172 , H01L2224/32225 , H01L2224/32503 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/83825 , H01L2924/01322 , H01L2924/1301 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111684587B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
-
公开(公告)号：CN104882433A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410341174.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L23/49822 , H01L23/49866 , H01L23/53233 , H01L24/26 , H01L2224/32225
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐热性和机械强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体元件；具有含铜的布线层的安装基板；以及接合层，设置在上述半导体元件与上述布线层之间，含有铜和铜以外的金属的合金，上述合金的熔点比上述金属的熔点高。
-
公开(公告)号：CN1097337C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN99104531.9
申请日：1999-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M11/00
CPC classification number: H03K17/0406 , H02M1/08 , H02M1/38 , H03K17/04123
Abstract: 一种用于接通绝缘栅半导体器件的栅极控制电路，包括：第一DC电源，通过第一开关耦合到栅极端；第二DC电源，通过第二开关耦合到栅极端；一个二极管和电容器的并联电路，与第二开关串联耦合；以及一个断开帮助电路，在电容器上产生负电荷。一种具有多个绝缘栅半导体器件的电力转换器电路，根据检测的集电极-发射极电压或检测的发射极电流，通过控制电容器中所存储的电荷，使断开绝缘栅半导体器件的延迟时间实现相等。
-
公开(公告)号：CN1230820A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99104531.9
申请日：1999-03-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M11/00
CPC classification number: H03K17/0406 , H02M1/08 , H02M1/38 , H03K17/04123
Abstract: 一种用于接通绝缘栅半导体器件的栅极控制电路,包括:第一DC电源,通过第一开关耦合到栅极端;第二DC电源,通过第二开关耦合到栅极端;一个二极管和电容器的并联电路,与第二开关串联耦合;以及一个断开帮助电路,在电容器上产生负电荷。一种具有多个绝缘栅半导体器件的电力转换器电路,根据检测的集电极－发射极电压或检测的发射极电流,通过控制电容器中所存储的电荷,使断开绝缘栅半导体器件的延迟时间实现相等。
-
公开(公告)号：CN111684587A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201880088817.5
申请日：2018-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 半导体装置具备并联连接的多个半导体元件单元。半导体元件单元包括：第一金属部件；第二金属部件，与所述第一金属部件对置；至少一个半导体元件，配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间；树脂部件，在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件；强化部件，以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置，且比所述树脂部件的强度高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.016 seconds)
