公开(公告)号：CN102959850B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180029396.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄 ,  宫崎隆行 ,  原浩幸

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括静电致动器，所述静电致动器包括第一和第二下电极（43，44），所述第一和第二下电极（43，44）上方通过锚状物支撑的且配置为向下移动的上电极（45），以及所述上电极（45）与所述第一和第二下电极（43，44）之间提供的绝缘膜（46），所述第一下电极（43）和上电极（45）构成第一可变电容元件（CEMS1），所述第二下电极（44）和上电极（45）构成第二可变电容元件（CMEMS2）；第一固定电容元件（CMIM1），连接到所述第一下电极（43）；第二固定电容元件（CMIM2），连接到所述第二下电极（44）；以及检测电路（15），连接到所述上电极（45）并且配置为检测存储在所述绝缘膜（46）中的电荷量。

公开(公告)号：CN105976854A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510547973.1

申请日：2015-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宫崎隆行 ,  市原玲华 ,  杉前纪久子 ,  岩田佳久

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/77

Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。一种半导体存储装置包括可变电阻元件作为存储元件，该可变电阻元件根据施加的电压的极性和大小更改电阻值。半导体存储装置包括待命模式，在待命模式中，电源电压或接地电压被施加到字线和位线这两者上。半导体存储装置包括数据写入模式，在数据写入模式中，在字线和位线之间施加等于或大于第一电压的电压差。半导体存储装置包括读取模式，在读取模式中，通过仅更改在待命模式中施加的字线和位线的一个电压，在字线和位线之间施加小于第一电压的电压差，并且读取被写入存储元件的数据。

公开(公告)号：CN102959850A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029396.7

申请日：2011-08-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池桥民雄 ,  宫崎隆行 ,  原浩幸

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括静电致动器，所述静电致动器包括第一和第二下电极（43，44），所述第一和第二下电极（43，44）上方通过锚状物支撑的且配置为向下移动的上电极（45），以及所述上电极（45）与所述第一和第二下电极（43，44）之间提供的绝缘膜（46），所述第一下电极（43）和上电极（45）构成第一可变电容元件（CEMS1），所述第二下电极（44）和上电极（45）构成第二可变电容元件（CMEMS2）；第一固定电容元件（CMIM1），连接到所述第一下电极（43）；第二固定电容元件（CMIM2），连接到所述第二下电极（44）；以及检测电路（15），连接到所述上电极（45）并且配置为检测存储在所述绝缘膜（46）中的电荷量。