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公开(公告)号：CN106052665B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610103834.4
申请日：2016-02-25
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池桥民雄
IPC: G01C19/5621
Abstract: 根据实施方式，一种陀螺仪传感器的角速度的取得方法，具备如下步骤：检测依赖于基于作用在沿第1方向振动的可动体上的科里奥利力的第2方向的振动的振幅的规定物理量；基于上述检测出的规定物理量计算上述可动体的角速度，在陀螺仪传感器的角速度的取得方法中，当基于上述科里奥利力的第2方向的振动是非稳定状态时检测上述规定物理量。
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公开(公告)号：CN105024543B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510148559.3
申请日：2015-03-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池桥民雄
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明描述了一种电子装置。根据一个实施例，电子装置包括：至少一个可变电容器(10a)，其包括第一电极和第二电极，并且根据施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压而进入第一状态和第二状态的其中之一，与所述第一状态相比，所述第一电极与所述第二电极在所述第二状态下彼此更加靠近；以及电荷泵电路(20)，其设置在第一集成电路芯片(100)中并且产生用于建立所述第二状态的电压。外部电容器(70)能够连接到所述第一集成电路芯片并且能够接收由所述电荷泵电路产生的所述电压。
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公开(公告)号：CN100530643C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710105311.4
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0063 , H01H2059/0018 , H02N1/006
Abstract: 半导体集成电路具有静电型致动器、检测电路、存储电路及偏置电路。上述静电型致动器具有上部电极、下部电极及在上述上部电极和上述下部电极间配置的上述绝缘膜。上述检测电路检测上述静电型致动器的上述绝缘膜中所积蓄的上述电荷量。上述存储电路存储由上述检测电路检测的上述电荷量的检测结果。上述偏置电路根据上述存储电路存储的上述检测结果，使用于驱动上述静电型致动器的驱动电压变化。
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公开(公告)号：CN1551363A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410042144.X
申请日：2004-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/12 , H01L27/00 , G11C11/404 , G11C11/407 , G11C11/34
CPC classification number: G11C7/062 , G11C7/067 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C2207/065 , G11C2211/4016 , G11C2211/4068 , H01L29/7841
Abstract: 提供一种具有在SOI基板上形成的1个晶体管/1个单元结构的存储器单元、可高速读出的半导体存储装置。半导体存储装置包括具有通过绝缘层与底基板分离的半导体层的元件基板、和在上述元件基板的半导体层上排列形成的多个存储器件单元，各存储器件单元具有持有浮动状态的主体的MOS晶体管结构，具有通过该主体的多数载流子储存状态存储数据的存储器单元阵列；和读出上述存储器单元阵列的选择存储器单元的数据并存储在数据锁存器中、将该读出数据输送到输出电路的同时向上述选择存储器单元进行回写的读出放大器电路。
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公开(公告)号：CN107561304B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201710120474.3
申请日：2017-03-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5755 , G01C19/56 , G01C19/5719 , G01C19/5762
Abstract: 实施方式提供一种加工偏差不易给动作带来影响的角速度取得装置。实施方式的角速度取得装置具备：可动体，该可动体在第1方向及基于科里奥利力的第2方向上振动，具有在上述第2方向上延伸的可动电极部；保持电极，具有在上述第2方向上延伸、并隔开间隙地与上述可动电极部对置的固定电极部；以及挡块，配置在上述固定电极部与上述可动电极部之间，具有位于比上述固定电极部的与上述可动电极部对置的面更靠上述可动电极部侧的端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100548866C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610063988.1
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池桥民雄
CPC classification number: B81B3/0072 , H01G5/18 , H01L41/0933 , H01L41/094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有横梁结构的器件包括衬底、分别设置在该衬底上面和之上的锚定件和空腔、以及横梁结构，该横梁结构设置在锚定件上面和空腔之上，在第一方向上延伸，并且包括多个凸起部分和多个凹进部分，每个凸起部分具有提供凸起弯曲这样的应力梯度，而每个凹进部分具有提供凹进弯曲这样的应力梯度。凸起部分和凹进部分交替重复布置。
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公开(公告)号：CN100479195C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510119434.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H9/173 , B81B3/0018 , G02B26/0858 , H01G5/18 , H01H2057/006 , H01L27/20 , H01L41/094 , H01L41/0946 , H01L41/0973 , H03H9/0542 , H03H9/587 , H03H2003/027 , H03H2009/241
Abstract: 提供一种具有执行器的半导体装置，其中具有半导体基板；在上述半导体基板的上方设置空间进行配置，具有下部电极及上部电极和夹在这些下部电极及上部电极之间的压电体层，在上述下部电极、上述上部电极及上述压电体层之中至少上述压电体层的整个表面大致是平坦的执行器。
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公开(公告)号：CN1986384A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610063988.1
申请日：2006-12-20
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池桥民雄
CPC classification number: B81B3/0072 , H01G5/18 , H01L41/0933 , H01L41/094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有横梁结构的器件包括衬底、分别设置在该衬底上面和之上的锚定件和空腔、以及横梁结构，该横梁结构设置在锚定件上面和空腔之上，在第一方向上延伸，并且包括多个凸起部分和多个凹进部分，每个凸起部分具有提供凸起弯曲这样的应力梯度，而每个凹进部分具有提供凹进弯曲这样的应力梯度。凸起部分和凹进部分交替重复布置。
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公开(公告)号：CN111947637B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010160623.0
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G01C19/56
Abstract: 根据实施方式，所涉及的传感器包括可动部件、第1对置电极、第2对置电极、第1电阻、第2电阻以及控制装置。可动部件包括第1电极和第2电极，能够进行振动。可动部件的振动包含第1方向的第1分量和第2方向的第2分量。第1电阻包括第1端部和第1另一端部。第2电阻包括第2端部和第2另一端部。第1另一端部与第1对置电极连接。第2另一端部与第2对置电极连接。控制装置包括实施第1动作的控制部。在第1动作中，变更第1电阻的电阻值、第2电阻的电阻值、第1端部的第1电压和第2端部的第2电压中的至少任一方，以使得第1分量的第1时间常数与第2分量的第2时间常数之差的绝对值减小。由此，提供能够提高精度的传感器。
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公开(公告)号：CN105731359A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510518658.6
申请日：2015-08-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 池桥民雄
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0136 , B81C1/00166 , G01L9/0048 , G01L9/0073 , G01L19/0618 , G01L19/146 , G01P15/18 , G01P2015/084 , G01P2015/0865
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种传感器。所述传感器包括：基板；第一固定电极，其被布置在所述基板上；可动电极，其被布置在所述第一固定电极之上并且能非平行地移动；第二固定电极，其被布置在所述可动电极之上。所述传感器还包括检测器，所述检测器用以检测第一电容与第二电容之间的差，其中，所述第一电容是所述第一固定电极与所述可动电极之间的电容，所述第二电容是所述可动电极与所述第二固定电极之间的电容。
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