公开(公告)号：CN101546710A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910128788.3

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中林幸雄 ,  内田建

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种多栅型场效应晶体管及其制造方法，即使进行平坦化工序也可以防止金属污染。该多栅型场效应晶体管包括：在衬底上并列地设置的第一导电类型的多个半导体层；在多个半导体层的每一个上分离地设置的第二导电类型的源/漏区；在多个半导体层的每一个上，在源区和漏区之间设置的沟道区；在沟道区的每一个的上表面上设置的保护膜；在沟道区的每一个的两侧面上设置的栅绝缘膜；在沟道区的每一个的两侧面上夹着栅绝缘膜设置并且在沟道区的每一个的上表面上夹着保护膜设置的、包含金属元素的多个栅电极；以覆盖多个栅电极的每一个的侧面的方式在衬底上设置的层间绝缘膜；把多个栅电极的每一个的上表面共同连接的连接部；以及与连接部连接的栅布线。

公开(公告)号：CN100382319C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410011720.4

申请日：2004-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松泽一也 ,  内田建 ,  中内孝浩

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1463 ,  Y10S257/903

Abstract: 提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。

公开(公告)号：CN101546770B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910006800.3

申请日：2009-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真澄 ,  内田建

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种根据侧面取向和载流子极性优化应变方向的FinFET和纳米线晶体管以及用于实现该晶体管的引入SMT的制造方法。一种半导体器件包括：具有半导体衬底的pMISFET；形成在所述衬底的上部的长方体形状的半导体层，其具有平行于所述衬底主面的顶部表面和垂直于所述衬底主面的(100)面方向的侧面；形成在所述矩形半导体层中的沟道区；至少形成在矩形层的侧面上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在所述矩形半导体层中的源/漏区，将所述沟道区置于源/漏区之间。在所述衬底主面的垂直方向上，所述沟道区被施加有压应变。还公开了该器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101546770A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910006800.3

申请日：2009-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真澄 ,  内田建

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种根据侧面取向和载流子极性优化应变方向的FinFET和纳米线晶体管以及用于实现该晶体管的引入SMT的制造方法。一种半导体器件包括：具有半导体衬底的pMISFET；形成在所述衬底的上部的长方体形状的半导体层，其具有平行于所述衬底主面的顶部表面和垂直于所述衬底主面的(100)面方向的侧面；形成在所述矩形半导体层中的沟道区；至少形成在矩形层的侧面上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的栅电极；以及形成在所述矩形半导体层中的源/漏区，将所述沟道区置于源/漏区之间。在所述衬底主面的垂直方向上，所述沟道区被施加有压应变。还公开了该器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101136439A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148333.9

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真澄 ,  内田建

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4234 ,  H01L21/845 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/785 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种通过在抑制半导体存储元件的特性的元件间偏差的同时，完成大的阈值电压偏移、长的保持时间，可以实现低电压驱动化和大容量化(微细化)的半导体装置。该半导体装置具备包含以下部分的半导体存储元件：形成在半导体衬底上的沟道区域；形成在沟道区域表面上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜表面上的电荷蓄积绝缘膜；形成在电荷蓄积绝缘膜表面上的控制绝缘膜；形成在控制绝缘膜表面上的控制电极；形成在沟道区域的两侧上的源区以及漏区。而后，与该半导体存储元件的沟道区域(105)的沟道长度垂直的剖面的宽度W以及高度H分别大于0nm并小于等于10nm。

公开(公告)号：CN1601750A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410011720.4

申请日：2004-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松泽一也 ,  内田建 ,  中内孝浩

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1463 ,  Y10S257/903

Abstract: 提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。