公开(公告)号：CN100382319C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410011720.4

申请日：2004-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松泽一也 ,  内田建 ,  中内孝浩

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1463 ,  Y10S257/903

Abstract: 提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。

公开(公告)号：CN1601750A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410011720.4

申请日：2004-09-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松泽一也 ,  内田建 ,  中内孝浩

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1463 ,  Y10S257/903

Abstract: 提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。