公开(公告)号：CN101034714A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085717.0

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平井纯 ,  铃木政胜 ,  村上一朗 ,  广藤裕一

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。

公开(公告)号：CN1758440A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510091508.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平井纯 ,  山田彻

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，从光电二极管部表面通过信号电荷读出部(9)的表面直到电荷转移部，连续形成光电二极管部表面的p+型区域(5)。此外，采用了p+型区域(5)与p++型区域(4)的界面和形成光电二极管部的n型杂质区域(3)的信号电荷读出部侧的界面不在同一平面上的结构。另外，在光电二极管部表面的p+型区域(5)与p++型区域p(4)之间的区域上形成了杂质浓度在两者之间的p+型区域(12)。