公开(公告)号：CN101960588A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107710.1

申请日：2009-03-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉川则之 ,  福田敏行 ,  古屋敷纯也 ,  丝冈敏昌 ,  宇辰博喜

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49805 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。在由多种材料构成的半导体装置中，在经过将粘合的多种材料切断的工序以进行制造的情况下，在切断面露出多种材料的边界线。在该边界线残留有切断时的内部应力，水分、腐蚀性气体容易侵入。因此，用被覆层覆盖出现在切断面的边界线，以防止水分、气体等侵入。此时，为了能够在基板上附有多个半导体装置的状态下直接一并地形成被覆层，在露出边界线的同时进行不将多个半导体装置彼此切离的不完全切割。

公开(公告)号：CN101960608A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107640.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古屋敷纯也 ,  吉川则之 ,  福田敏行 ,  丝冈敏昌 ,  宇辰博喜

IPC: H01L31/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供半导体设备以及半导体设备的制造方法。其中，通过在包围半导体元件的受光部的部分设置绝缘体并在其外侧设置密封树脂，使得绝缘体在从受光部观察的状态下向外侧翘曲，从而漫反射的光不会再次返回半导体元件的受光部。