公开(公告)号：CN115101629A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210855331.8

申请日：2022-07-19

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 黄垒 ,  谭信辉 ,  祁春超 ,  王荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09

Abstract: 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述光电探测器的制备方法包括：提供衬底；衬底包括具有第一导电类型的衬底本体及位于衬底本体一侧的绝缘层；衬底本体设有朝向绝缘层的具有第一导电类型的第一注入区及具有第二导电类型的第二注入区，第一注入区的掺杂浓度及第二注入区的掺杂浓度均大于衬底本体的掺杂浓度；在绝缘层上形成暴露第一注入区的第一凹槽和暴露所述第二注入区的第二凹槽；在所述第一凹槽和/或所述第二凹槽的底部形成硅晶体膜层；在所述硅晶体膜层上形成金属膜层，采用快速热退火工艺使所述硅晶体膜层与所述金属膜层反应生成金属硅化物膜层；形成至少部分位于所述第一凹槽内的第一电极及至少部分位于所述第二凹槽内的第二电极。

公开(公告)号：CN114300493A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111633730.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  樊堃 ,  谭信辉

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

Abstract: 本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作为一个整体对入射光进行作用，使得抗反射膜在较宽光谱范围内均具有低反射率。

公开(公告)号：CN115036337A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210772140.5

申请日：2022-06-30

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  李玉鹏 ,  王荣

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明提供一种图像传感器、摄像头组件及电子设备。其中，所述图像传感器包括光电二极管及微透镜。所述光电二极管具有在第一预设方向上相背离的第一表面和第二表面且所述光电二极管的外周侧设有沟槽隔离结构；所述微透镜位于所述光电二极管的第一表面所在的一侧，所述微透镜朝向背离所述光电二极管的一侧凸起，所述微透镜的光轴与所述光电二极管沿第一预设方向上的中心线不重合。上述结构通过将微透镜的光轴设置为与所述光电二极管沿第一预设方向上的中心线不重合，使得沟槽结构对入射图像传感器的波长较长的光线起到反射作用，有利于减少波长较长的光线穿过光电二极管，从而提高波长较长的光线吸收效率，提高光图像传感器的量子效率。

公开(公告)号：CN114300495A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111643551.6

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  樊堃 ,  仇筱乐

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明提供一种光电二极管、光电探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、介质层以及反光层，衬底具有相互背离的第一表面和第二表面，衬底的材料为第一导电类型材料；第一掺杂区设于衬底中，并在衬底的第二表面外露，第一掺杂区的材料为第一导电类型材料；第二掺杂区设于衬底中并自衬底的第二表面外露，第二掺杂区的材料为第二导电类型材料；介质层位于第二掺杂区自衬底外露的表面；反光层对应设于介质层背离第二掺杂区的表面。上述结构通过在介质层背离上述第二掺杂区的表面设置反光层，有利于将自第二掺杂区射出的光线反射回去，有利于增加部分入射光的吸收路径，有利于提高光生载流子的产生效率。

公开(公告)号：CN115148753A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210763731.6

申请日：2022-06-30

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  李玉鹏 ,  刘艳丽

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04M1/02

Abstract: 本申请实施例提供光电二极管阵列、制备方法、传感器、摄像头、电子设备。该光电二极管阵列，包括半导体衬底、多个光电二极管以及多个散光件。多个光电二极管设置于半导体衬底内呈阵列分布，光电二极管具有感光面和背光面。多个散光件设置于半导体衬底内靠近感光面一侧，每个散光件包括至少一个散射透镜，散射透镜具有凸面，凸面朝向散射透镜对应的光电二极管的感光面，散射透镜用于将透过散射透镜的光进行散射。上述光电二极管阵列，光经过散射透镜的凸面发生散射，分散成多个方向向光电二极管的感光面传播，可减少从半导体衬底透出的光量，延长光的传播路径，有利于光电二极管对光的吸收从而提高量子效率。

公开(公告)号：CN114284305A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111485332.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 刘广元 ,  祁春超

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请实施例提供一种光电探测器及其制备方法、射线探测装置。涉及光电转换技术领域。主要用于提升光电探测器的光电转换量子效率，以及使用可靠性。该光电探测器包括：半导体衬底、抗反射膜层、介质层、第一电极和第二电极、钝化层；半导体衬底具有相对的第一面和第二面，第一面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；抗反射膜层形成在第一面上，抗反射膜层的与第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区；介质层形成在抗反射膜层的远离半导体衬底的一侧；第一电极和第二电极均形成在介质层的远离抗反射膜层的一侧；第一导电通道和第二导电通道均贯穿介质层；介质层的表面上形成有钝化层，钝化层形成有镂空区，且镂空区贯通至光敏区，以使得光敏区露出。

公开(公告)号：CN116417886A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111668005.8

申请日：2021-12-30

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  王荣 ,  谭信辉 ,  仇筱乐

IPC: H01S3/097 ,  H01S3/13

Abstract: 本申请实施例提供一种激光器电路、提高激光器稳定性的方法及设备，涉及激光器领域，用于解决在调节激光器输出的激光能量时，激光器的稳定性降低的问题，实现提高了激光器的稳定性的技术效果。供电电路，被配置为向储能电容供电，且供电电压固定；储能电容，被配置为驱动激光产生电路工作，产生激光；能量采集电路，被配置为采集激光器电路输出的第一激光能量；控制电路，被配置为根据第一激光能量和预设的第二激光能量调整储能电容的容值。本申请实施例用于在激光器工作的过程中。

公开(公告)号：CN115050767A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210737265.4

申请日：2022-06-27

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  孙思白 ,  王颖聪

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

Abstract: 本公开提供了一种像素单元及其制备方法、图像传感器、摄像头和电子设备，涉及图像传感器的技术领域，用于解决像素单元的制备工艺复杂的技术问题。像素单元的制备方法包括在衬底的一侧形成第一掺杂层。在第一掺杂层远离衬底的一侧形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂类型与第一掺杂层的掺杂类型不同。在第二掺杂层内形成光敏部。将第一掺杂层作为停止层，以去除衬底。本公开提供的像素单元的制备方法用于制备像素单元。

公开(公告)号：CN114975500A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210654541.0

申请日：2022-06-10

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  孙鹏飞 ,  王保宁

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种像素单元、图像传感器、摄像头组件和电子设备，涉及图像传感器的技术领域，解决相关技术中像素单元对于波长较长的入射光的吸收率较低，相邻两个像素单元之间容易发生光串扰的技术问题。像素单元包括半导体衬底、光敏元件和金属布线层。金属布线层设置于半导体衬底远离光敏元件的受光面的一侧。金属布线层包括层间介质、多层金属布线和调光结构。多层金属布线嵌入于层间介质内，且与光敏元件电连接。调光结构嵌入于层间介质内。调光结构在半导体衬底上的垂直投影，与光敏元件在半导体衬底上垂直投影的至少部分重叠。调光结构用于将至少部分照射至调光结构的光线聚拢至光敏元件。本发明提供的像素单元用于将光信号转换为电信号。

公开(公告)号：CN114300494A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111643491.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 樊堃 ,  祁春超 ,  仇筱乐 ,  刘艳丽

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露；第一掺杂区为第二导电类型材料；第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露；第二掺杂区为第二导电类型材料；介质层设于衬底的第二表面；电极线部分穿设于介质层，另一部分设于介质层背离衬底的一侧，电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线电连接的第一电连接柱；第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。