公开(公告)号：CN115020514A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210750988.8

申请日：2022-06-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 许东 ,  樊堃 ,  赵佳斌

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  G01N23/02 ,  G01N23/04

Abstract: 公开一种光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备，涉及半导体技术领域，用于改善光电二极管的感光性能。该光电二极管包括半导体衬底、第一电极和第二电极。其中，半导体衬底包括：主体部，和间隔设置、且导电类型不同的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与主体部形成PN结；第一电极，覆盖至少部分所述第一掺杂部；第二电极，覆盖至少部分所述第二掺杂部，且至少第一电极为透明电极。本公开提供的光电二极管，至少第一电极为透明电极，无需在光敏区上方进行接触区开孔，改善了因刻蚀工艺而造成光电二极管的电阻大、暗电流大、膜层搭接不良等问题。

公开(公告)号：CN114300495A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111643551.6

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  樊堃 ,  仇筱乐

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明提供一种光电二极管、光电探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、介质层以及反光层，衬底具有相互背离的第一表面和第二表面，衬底的材料为第一导电类型材料；第一掺杂区设于衬底中，并在衬底的第二表面外露，第一掺杂区的材料为第一导电类型材料；第二掺杂区设于衬底中并自衬底的第二表面外露，第二掺杂区的材料为第二导电类型材料；介质层位于第二掺杂区自衬底外露的表面；反光层对应设于介质层背离第二掺杂区的表面。上述结构通过在介质层背离上述第二掺杂区的表面设置反光层，有利于将自第二掺杂区射出的光线反射回去，有利于增加部分入射光的吸收路径，有利于提高光生载流子的产生效率。

公开(公告)号：CN114300493A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111633730.1

申请日：2021-12-28

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  樊堃 ,  谭信辉

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0216

Abstract: 本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作为一个整体对入射光进行作用，使得抗反射膜在较宽光谱范围内均具有低反射率。

公开(公告)号：CN114300494A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111643491.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 樊堃 ,  祁春超 ,  仇筱乐 ,  刘艳丽

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底为第一导电类型材料；第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露；第一掺杂区为第二导电类型材料；第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露；第二掺杂区为第二导电类型材料；介质层设于衬底的第二表面；电极线部分穿设于介质层，另一部分设于介质层背离衬底的一侧，电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线电连接的第一电连接柱；第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。

公开(公告)号：CN216624292U

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202123437530.7

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 祁春超 ,  樊堃 ,  仇筱乐

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括第一导电类型衬底、光电二极管、反射层及第二注入区。第一导电类型衬底具有相对的第一表面和第二表面；第一导电类型衬底的第一表面所在的一侧为入光侧；第一注入区位于第一导电类型衬底中并自第一导电类型衬底的第二表面外露；所述第一注入区的材料为第二导电类型材料；反射层位于第一注入区背离第一导电类型衬底第二表面的一侧；第二注入区位于第一导电类型衬底中并位于第一注入区外围，第二注入区的材料为第一导电类型材料。该结构通过在第一注入区背离第一导电类型衬底第一表面的一侧设置反射层，有利于增加部分入射光的吸收路径，有利于提高光生载流子的产生效率。

公开(公告)号：CN217588958U

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202221658355.6

申请日：2022-06-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 许东 ,  樊堃 ,  赵佳斌

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/115 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开的实施例提供了一种光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置，光电二极管设置于半导体衬底内。光电二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极以及第二电极。第二掺杂区与半导体衬底形成PN结，第二掺杂区和第一掺杂区的导电类型不同。第一电极与第一掺杂区电连接。第二电极与第二掺杂区电连接，且第一电极和第二电极中，至少一个为金属氧化物电极。透明覆盖层覆盖第一电极和第二电极中的金属氧化物电极。如此，可减少了接触区域的刻蚀面貌对光电二极管阵列的影响，从而降低因刻蚀工艺所造成的光电二极管阵列中电阻大、膜层搭接不良等特性和工艺问题。

公开(公告)号：CN217062113U

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202123425476.4

申请日：2021-12-29

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 樊堃 ,  祁春超 ,  仇筱乐 ,  刘艳丽

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L27/146

Abstract: 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的第一导电类型衬底；光电二极管还包括第一、二导电注入层、电极线、第一连通孔及第三注入区，第一、二导电注入层位于第一导电类型衬底中并分别自第一导电类型衬底的第一表面、第二表面外露，第一、二导电注入层的材料均为第二导电类型材料，电极线设于第一导电类型衬底第二表面的外侧，电极线包括与第二注入区电连接的第一电极线；第一连通孔内设有连接第一注入区和第一电极线的第一电连接柱；第三注入区位于第一导电类型衬底中并位于第二注入区外围，第三注入区的材料为第一导电类型材料。该结构有利于提高光生载流子的收集效率。

公开(公告)号：CN216774886U

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202122783856.9

申请日：2021-11-11

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 王保宁 ,  樊堃 ,  赵佳斌

IPC: H04N5/341 ,  H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例提供了一种图像传感器及电子设备，涉及传感器技术领域，可以解决现有的图像传感器可选的曝光模式受限的问题，该图像传感器包括M行*N列二维阵列分布的光敏图像单元，其中，同一行的光敏图像单元连接一条读取选行线和一条复位选行线，同一列的光敏图像单元连接一条列线；图像传感器的M行读取选行线耦合于读取行选电路；图像传感器的第一行复位选行线至第K行复位选行线耦合于第一复位行选电路，第K+1行复位选行线至第X行复位选行线耦合于第二复位行选电路，X小于等于M；图像传感器的N列列线耦合于信号处理芯片；读取行选电路、第一复位行选电路、第二复位行选电路以及信号处理芯片耦合于控制器。