光电二极管器件、光电转换基板、探测器及检测装置

    公开(公告)号:CN115101548A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210754124.3

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本申请实施例提供光电二极管器件、光电转换基板、探测器阵列及检测装置。该光电二极管器件,包括半导体衬底、透明覆盖层以及调光部。半导体衬底具有第一表面和第二表面;半导体衬底包括暴露于第一表面的感光层。透明覆盖层位于半导体衬底的第一表面远离第二表面的一侧,并覆盖感光层。调光部位于透明覆盖层远离半导体衬底的一侧,调光部位于感光层的边缘以内并靠近感光层的边缘。由于设置了调光部,使得靠近感光层的边缘的部分光线向远离感光层的边缘一侧聚拢,故而减少了光线向感光层的边缘以外的区域传播的数量,进而减少了光进入相邻光电二极管器件的感光区的可能性,降低了光电二极管器件发生光串扰现象的概率,提高了成像的清晰度。

    光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备

    公开(公告)号:CN115020514A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210750988.8

    申请日:2022-06-29

    Inventor: 许东 樊堃 赵佳斌

    Abstract: 公开一种光电二极管及其制备方法、光电探测器和探测设备,涉及半导体技术领域,用于改善光电二极管的感光性能。该光电二极管包括半导体衬底、第一电极和第二电极。其中,半导体衬底包括:主体部,和间隔设置、且导电类型不同的第一掺杂部和第二掺杂部,第一掺杂部与主体部形成PN结;第一电极,覆盖至少部分所述第一掺杂部;第二电极,覆盖至少部分所述第二掺杂部,且至少第一电极为透明电极。本公开提供的光电二极管,至少第一电极为透明电极,无需在光敏区上方进行接触区开孔,改善了因刻蚀工艺而造成光电二极管的电阻大、暗电流大、膜层搭接不良等问题。

    光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置

    公开(公告)号:CN217588958U

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202221658355.6

    申请日:2022-06-29

    Inventor: 许东 樊堃 赵佳斌

    Abstract: 本公开的实施例提供了一种光电二极管及其阵列、放射性探测器及其阵列及检测装置,光电二极管设置于半导体衬底内。光电二极管包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极以及第二电极。第二掺杂区与半导体衬底形成PN结,第二掺杂区和第一掺杂区的导电类型不同。第一电极与第一掺杂区电连接。第二电极与第二掺杂区电连接,且第一电极和第二电极中,至少一个为金属氧化物电极。透明覆盖层覆盖第一电极和第二电极中的金属氧化物电极。如此,可减少了接触区域的刻蚀面貌对光电二极管阵列的影响,从而降低因刻蚀工艺所造成的光电二极管阵列中电阻大、膜层搭接不良等特性和工艺问题。

    光电二极管器件、光敏探测器和检测装置

    公开(公告)号:CN217588938U

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202221665159.1

    申请日:2022-06-29

    Inventor: 许东 王荣 冉斗

    Abstract: 本实用新型公开了一种光电二极管器件、光敏探测器和检测装置,涉及光电二极管器件的技术领域,为解决相邻的两个光电二极管之间容易发生光串扰而发明的实用新型。第一掺杂部位于半导体衬底内,且一侧表面裸露于半导体衬底的第一表面。聚光部嵌入于半导体衬底内,且在半导体衬底上的正投影与第一掺杂部在半导体衬底上正投影的至少部分重叠。第二掺杂部位于第一掺杂部和聚光部之间,与第一掺杂部的掺杂类型不同。第二掺杂部在半导体衬底上的正投影与第一掺杂部和聚光部在半导体衬底上正投影的至少部分重叠。聚光部用于将至少部分照射至第二表面的光线聚拢至第一掺杂部和第二掺杂部之间。本实用新型提供的光电二极管器件用于将光信号转换为电信号。

    光电二极管探测器及探测系统

    公开(公告)号:CN217719618U

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202221657807.9

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本申请提供一种光电二极管探测器及探测系统。所述光电二极管探测器包括衬底和多个探测单元。所述衬底包括相对的第一侧和第二侧,所述衬底的第一侧设有多个凹槽。所述探测单元包括光电转换结构和闪烁体,所述闪烁体的至少部分位于所述凹槽内,所述光电转换结构位于所述凹槽背离所述凹槽的开口一侧;同一所述探测单元中,所述光电转换结构在自所述第一侧至所述第二侧方向上的投影与所述闪烁体在自所述第一侧至所述第二侧方向上的投影至少部分重合。所述探测系统包括所述光电二极管探测器。

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