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公开(公告)号:CN115278100A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210849224.4
申请日:2022-07-19
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种像素单元电路、信号采集装置和信号采集方法,涉及图像传感器领域,用于解决在读出图像传感器产生的图像信号时,图像传感器的曝光时间较短,成像质量较差的问题,实现提高图像传感器的曝光时间以及成像质量的技术效果。通过信号保存及读出电路保存第一像素单元产生的第一复位信号,在保存第一复位信号之后,通过信号保存及读出电路保存第二像素单元产生的第二复位信号,在保存第二复位信号之后,通过信号保存及读出电路保存第一像素单元产生的第一光电信号,通过信号保存及读出电路输出第一复位信号和第一光电信号。本申请实施例用于读出图像传感器产生的图像信号的过程中。
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公开(公告)号:CN115148753A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210763731.6
申请日:2022-06-30
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , H04M1/02
Abstract: 本申请实施例提供光电二极管阵列、制备方法、传感器、摄像头、电子设备。该光电二极管阵列,包括半导体衬底、多个光电二极管以及多个散光件。多个光电二极管设置于半导体衬底内呈阵列分布,光电二极管具有感光面和背光面。多个散光件设置于半导体衬底内靠近感光面一侧,每个散光件包括至少一个散射透镜,散射透镜具有凸面,凸面朝向散射透镜对应的光电二极管的感光面,散射透镜用于将透过散射透镜的光进行散射。上述光电二极管阵列,光经过散射透镜的凸面发生散射,分散成多个方向向光电二极管的感光面传播,可减少从半导体衬底透出的光量,延长光的传播路径,有利于光电二极管对光的吸收从而提高量子效率。
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公开(公告)号:CN114300494A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111643491.8
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种光电二极管、光电二极管探测器及其制造方法。光电二极管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、电极线、介质层及第一连通孔,衬底具有相对的第一表面和第二表面,衬底为第一导电类型材料;第一掺杂区位于衬底中并自衬底的第一表面外露;第一掺杂区为第二导电类型材料;第二掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露;第二掺杂区为第二导电类型材料;介质层设于衬底的第二表面;电极线部分穿设于介质层,另一部分设于介质层背离衬底的一侧,电极线包括与第二掺杂区电连接的第一电极线;第一连通孔内设有连接第一掺杂区和第一电极线电连接的第一电连接柱;第三掺杂区位于衬底中并自衬底的第二表面外露。
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公开(公告)号:CN217062113U
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202123425476.4
申请日:2021-12-29
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供一种光电二极管及光电二极管探测器。光电二极管包括具有相对的第一表面和第二表面的第一导电类型衬底;光电二极管还包括第一、二导电注入层、电极线、第一连通孔及第三注入区,第一、二导电注入层位于第一导电类型衬底中并分别自第一导电类型衬底的第一表面、第二表面外露,第一、二导电注入层的材料均为第二导电类型材料,电极线设于第一导电类型衬底第二表面的外侧,电极线包括与第二注入区电连接的第一电极线;第一连通孔内设有连接第一注入区和第一电极线的第一电连接柱;第三注入区位于第一导电类型衬底中并位于第二注入区外围,第三注入区的材料为第一导电类型材料。该结构有利于提高光生载流子的收集效率。
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