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公开(公告)号：CN116805652A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310105330.6
申请日：2023-02-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(18)及源电极(12)；n‑漂移层(16)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(18)与n‑漂移层(16)分隔的沟道部(17b)的p基极层(17)。半导体装置(10)具备隔着栅极氧化膜(15)与n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)分别相邻的栅极n‑层(19)及栅极p层(20)。栅极n‑层(19)与栅极p层(20)沿着n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)顺次排列的方向相邻。半导体装置(10)具备与栅极p层(20)接合的第一栅电极(13)和与栅极n‑层(19)接合的第二栅电极(14)。
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公开(公告)号：CN115148805A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210113729.4
申请日：2022-01-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种BiMOS半导体装置，是具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，并且，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层，在形成在前述p柱层上的前述p基极层与前述n+源极层之间的一部分，形成高电阻层，在前述p柱层与前述p基极层之间，形成高电阻层，前述p柱层的杂质浓度低于前述n‑漂移层。
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公开(公告)号：CN104655885B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410647386.5
申请日：2014-11-14
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流施加装置以及半导体元件的制造方法。电流施加装置(1)具备接触体(2)和按压体(3)。接触体(2)具有用于施加检查电流的多个突起(21)，与半导体元件(22)的主动区(23)内的接触区(24)接触。按压体(3)将接触体(2)按压到半导体元件(22)上，以使各突起(21)与接触区(24)接触。多个突起(21)被配置成外侧的突起(21)的配置密度比内侧的突起(21)的配置密度大。该电流施加装置能够无障碍地施加检查所需大小的检查电流。
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公开(公告)号：CN104655885A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410647386.5
申请日：2014-11-14
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流施加装置以及半导体元件的制造方法。电流施加装置(1)具备接触体(2)和按压体(3)。接触体(2)具有用于施加检查电流的多个突起(21)，与半导体元件(22)的主动区(23)内的接触区(24)接触。按压体(3)将接触体(2)按压到半导体元件(22)上，以使各突起(21)与接触区(24)接触。多个突起(21)被配置成外侧的突起(21)的配置密度比内侧的突起(21)的配置密度大。该电流施加装置能够无障碍地施加检查所需大小的检查电流。
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公开(公告)号：CN116805650A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310105507.2
申请日：2023-02-13
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(19)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(19)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(18b)的p基极层(18)。p基极层(18)的沟道部(18b)具备多个低浓度部(20)。各低浓度部(20)的杂质浓度设定得比沟道部(18b)中的其他的部位(例如，低浓度部(20)以外的部位等)的杂质浓度相对小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116805649A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310043719.2
申请日：2023-01-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(19c)。半导体装置(10)具备第二接点部(19b)，该第二接点部(19b)与基电极(13)相邻，并且杂质浓度比p基极层(19)的其他的部位的杂质浓度相对大。
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公开(公告)号：CN116805648A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310043673.4
申请日：2023-01-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(17)及漏电极(11)；与n+漏极层(17)相邻，并且杂质浓度比n+漏极层(17)的杂质浓度相对小的n‑漂移层(18)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(18)分隔的沟道部(19b)。半导体装置(10)具备：在将n+漏极层(17)与p基极层(19)分隔的n‑漂移层(18)的n+漏极层(17)侧与n‑漂移层(18)相邻的p注入层(21)；与p注入层(21)接合的注入电极(16)；以及与注入电极(16)连接的电流源。
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公开(公告)号：CN115148804A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210113723.7
申请日：2022-01-30
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层。
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公开(公告)号：CN219642824U
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202320563306.2
申请日：2023-03-21
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置，包含设置在至少一半导体基板的表面的主电流电极、电流控制电极以及电压控制电极，并配备把每个电极连接到基板外部的主电流配线、电流控制配线和电压控制配线。所述电压控制电极被绝缘膜覆盖，并在所述表面沿第一方向呈直线状延伸配置。多个电压控制配线沿与第一方向不同的第二方向排列。所述电流控制配线与所述电压控制电极交叉，沿所述第二方向呈直线状延伸配置。所述电流控制配线与设置在多个所述电压控制电极之间的所述电流控制配线下方的所述电流控制电极连接。因此，本实用新型的半导体装置可减少配线层数并借此降低制造成本。而且，源极配线和基极配线交替地配置，有利于获得良好的半导体特性。
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公开(公告)号：CN219610441U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320656480.1
申请日：2023-03-29
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本实用新型提供一种BiMOS半导体装置，包括连续配置的数个BiMOS半导体，每个BiMOS半导体包括：漏电极与形成于漏电极侧的漂移层、源电极与形成于源电极侧的源极接触层、形成在源极接触层旁边的栅电极、形成在漂移层与源极接触层之间的基极层与基电极。基极层包含由栅电极形成的沟道区，基电极与基极层相连。在BiMOS半导体装置中，在连续配置的栅电极之间的漂移层包括柱层，柱层中交替形成有第一导电型与第二导电型的数个柱，且在柱层与基极层之间形成有导电型与基极层不同的中间层。在本实用新型中，即使柱层和柱的数量跟沟道区的数量不匹配，也可以形成电流路径并且有效降低阻值。
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