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    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN116805652A

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN202310105330.6

    申请日：2023-02-13

    Applicant: 本田技研工业株式会社

    Inventor： 中村研贵 ,  塚田能成 ,  小堀俊光 ,  前田康宏 ,  米田真也 ,  根来佑树

    IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(18)及源电极(12)；n‑漂移层(16)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(18)与n‑漂移层(16)分隔的沟道部(17b)的p基极层(17)。半导体装置(10)具备隔着栅极氧化膜(15)与n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)分别相邻的栅极n‑层(19)及栅极p层(20)。栅极n‑层(19)与栅极p层(20)沿着n+源极层(18)、沟道部(17b)及n‑漂移层(16)顺次排列的方向相邻。半导体装置(10)具备与栅极p层(20)接合的第一栅电极(13)和与栅极n‑层(19)接合的第二栅电极(14)。

    半导体装置
    3.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN104576569B

    公开(公告)日：2019-03-12

    申请号：CN201410550808.7

    申请日：2014-10-16

    Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  富士电机株式会社

    Inventor： 中川贵纪 ,  竹内大裕 ,  前田康宏 ,  乡原广道 ,  两角朗 ,  市村武

    IPC: H01L23/367

    Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括冷却器，在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括：设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28)；连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24)；连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25)；以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度，在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。

    BiMOS半导体装置
    4.
    发明公开
    BiMOS半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN115148805A

    公开(公告)日：2022-10-04

    申请号：CN202210113729.4

    申请日：2022-01-30

    Applicant: 本田技研工业株式会社

    Inventor： 前田康宏 ,  塚田能成 ,  米田真也 ,  中村研贵 ,  根来佑树

    IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

    Abstract: 本发明提供一种BiMOS半导体装置，是具有沟槽栅极结构的n沟道型BiMOS半导体装置，并且，依次形成n+漏极层、交替地接合n‑漂移层及p柱层的并列pn层、以及由p基极层及n+源极层构成的复合层，在形成在前述p柱层上的前述p基极层与前述n+源极层之间的一部分，形成高电阻层，在前述p柱层与前述p基极层之间，形成高电阻层，前述p柱层的杂质浓度低于前述n‑漂移层。

    半导体装置
    5.
    发明公开
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN104576569A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201410550808.7

    申请日：2014-10-16

    Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  富士电机株式会社

    Inventor： 中川贵纪 ,  竹内大裕 ,  前田康宏 ,  乡原广道 ,  两角朗 ,  市村武

    IPC: H01L23/367

    CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 提供了一种半导体装置，其包括冷却器，在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括：设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28)；连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24)；连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25)；以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度，在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN116805650A

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN202310105507.2

    申请日：2023-02-13

    Applicant: 本田技研工业株式会社

    Inventor： 中村研贵 ,  塚田能成 ,  前田康宏 ,  米田真也 ,  根来佑树 ,  小堀俊光

    IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(19)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及具有将n+源极层(19)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(18b)的p基极层(18)。p基极层(18)的沟道部(18b)具备多个低浓度部(20)。各低浓度部(20)的杂质浓度设定得比沟道部(18b)中的其他的部位(例如，低浓度部(20)以外的部位等)的杂质浓度相对小。

    半导体装置
    8.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN116805649A

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN202310043719.2

    申请日：2023-01-29

    Applicant: 本田技研工业株式会社

    Inventor： 中村研贵 ,  塚田能成 ,  米田真也 ,  前田康宏 ,  根来佑树 ,  小堀俊光

    IPC: H01L29/06 ,  H01L27/07

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(16)、n‑漂移层(17)及漏电极(11)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(17)分隔的沟道部(19c)。半导体装置(10)具备第二接点部(19b)，该第二接点部(19b)与基电极(13)相邻，并且杂质浓度比p基极层(19)的其他的部位的杂质浓度相对大。

    半导体装置
    9.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN116805648A

    公开(公告)日：2023-09-26

    申请号：CN202310043673.4

    申请日：2023-01-29

    Applicant: 本田技研工业株式会社

    Inventor： 中村研贵 ,  塚田能成 ,  米田真也 ,  前田康宏 ,  根来佑树 ,  小堀俊光

    IPC: H01L29/06 ,  H01L27/07

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备：n+源极层(20)及源电极(12)；n+漏极层(17)及漏电极(11)；与n+漏极层(17)相邻，并且杂质浓度比n+漏极层(17)的杂质浓度相对小的n‑漂移层(18)；以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n‑漂移层(18)分隔的沟道部(19b)。半导体装置(10)具备：在将n+漏极层(17)与p基极层(19)分隔的n‑漂移层(18)的n+漏极层(17)侧与n‑漂移层(18)相邻的p注入层(21)；与p注入层(21)接合的注入电极(16)；以及与注入电极(16)连接的电流源。

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