公开(公告)号：CN119404286A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380043037.X

申请日：2023-04-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  布莱斯·以赛亚·埃德蒙森 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  马拉克·霍贾斯特赫 ,  马修·帕尔默·关 ,  爱思特·杰恩 ,  王宇希 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  凯尔·瓦特·哈特 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  郭曈曈 ,  赫克托·亚伦·富斯特 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  大卫·艾伦·唐斯 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  杰亚·普拉卡什·加内桑 ,  安·埃里克森 ,  塔凤金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了在半导体衬底上形成含金属层的方法，其可包括执行以下操作的多个循环：(a)使含金属前体与反应物共同流入容纳半导体衬底的处理室中；以及(b)在(a)之后，使反应物流入容纳半导体衬底的处理室中，其中反应物不与气相含金属前体反应。还提供了清洁处理室的方法。

公开(公告)号：CN119487614A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050704.7

申请日：2023-06-26

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 杨诺亚 ,  王宇希 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  张净云

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 一种基于硅的膜保形地沉积在特征中，并使用远程等离子体进行可控蚀刻。基于硅的膜可为非晶硅层或掺杂硅层，包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。基于硅的膜可根据所期望的深度和几何形状利用远程等离子体通过调节以下蚀刻参数中的一或更多者而被部分地蚀刻：室压强、衬底温度、暴露时间、RF功率、气体组成以及气体组成的相对浓度。还提供用于沉积具有可调膜组成及密度的含硅膜的方法与装置，其中通过热原子层沉积或热化学气相沉积来形成含硅膜，并用致密化气体等离子体处理含硅膜。