公开(公告)号：CN119404286A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380043037.X

申请日：2023-04-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  布莱斯·以赛亚·埃德蒙森 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  马拉克·霍贾斯特赫 ,  马修·帕尔默·关 ,  爱思特·杰恩 ,  王宇希 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  凯尔·瓦特·哈特 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  郭曈曈 ,  赫克托·亚伦·富斯特 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  大卫·艾伦·唐斯 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  杰亚·普拉卡什·加内桑 ,  安·埃里克森 ,  塔凤金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了在半导体衬底上形成含金属层的方法，其可包括执行以下操作的多个循环：(a)使含金属前体与反应物共同流入容纳半导体衬底的处理室中；以及(b)在(a)之后，使反应物流入容纳半导体衬底的处理室中，其中反应物不与气相含金属前体反应。还提供了清洁处理室的方法。