公开(公告)号：CN118435314A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280083547.5

申请日：2022-12-12

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达娜厄·尼科尔·凯 ,  托马斯·马克·普拉特 ,  马修·帕尔默·关

IPC: H01J37/32

Abstract: 气体输送装置包含入口部分及出口部分。入口部分可包含配置成从气体源接收气体的多个入口端口。入口部分还可包含与多个入口端口相关的相应的多个锥状表面。多个锥状表面中的每个锥状表面环绕多个入口端口的相应的入口端口。出口部分可配置成将气体输送至处理室的气体喷头。多个锥状表面中的每个锥状表面可包含第一区域及第二区域。第一区域与第一曲率相关。第二区域与第二曲率相关。第一曲率可以不同于第二曲率。

公开(公告)号：CN119404286A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380043037.X

申请日：2023-04-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 达斯汀·扎卡里·奥斯丁 ,  布莱斯·以赛亚·埃德蒙森 ,  丹尼斯·M·豪斯曼 ,  马拉克·霍贾斯特赫 ,  马修·帕尔默·关 ,  爱思特·杰恩 ,  王宇希 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·麦克罗 ,  凯尔·瓦特·哈特 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  郭曈曈 ,  赫克托·亚伦·富斯特 ,  鲍里斯·沃洛斯基 ,  弗朗西斯科·J·华雷斯 ,  大卫·艾伦·唐斯 ,  埃米尔·C·德拉佩 ,  杰亚·普拉卡什·加内桑 ,  安·埃里克森 ,  塔凤金

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了在半导体衬底上形成含金属层的方法，其可包括执行以下操作的多个循环：(a)使含金属前体与反应物共同流入容纳半导体衬底的处理室中；以及(b)在(a)之后，使反应物流入容纳半导体衬底的处理室中，其中反应物不与气相含金属前体反应。还提供了清洁处理室的方法。