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公开(公告)号：CN118715603A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202280083849.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 哈利什·库马尔·普雷玛库马尔 , 郭曈曈 , 雷切尔·E·巴策尔 , 龚波 , 弗朗西斯科·J·华雷斯 , 张净云
Abstract: 公开了各种系统，其允许从多站式处理室中的中心位置进行等离子体输送以重新引导至该室内的不同处理站。这种系统可包含导流板，其安装至晶片转位器，使得该导流板居中于该晶片转位器上。在其他实现方案中，这种系统可包含导流板，以与该处理室的顶板呈固定关系安装。
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公开(公告)号：CN119487614A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050704.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杨诺亚 , 王宇希 , 龚波 , 安德鲁·约翰·麦克罗 , 张净云
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 一种基于硅的膜保形地沉积在特征中，并使用远程等离子体进行可控蚀刻。基于硅的膜可为非晶硅层或掺杂硅层，包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。基于硅的膜可根据所期望的深度和几何形状利用远程等离子体通过调节以下蚀刻参数中的一或更多者而被部分地蚀刻：室压强、衬底温度、暴露时间、RF功率、气体组成以及气体组成的相对浓度。还提供用于沉积具有可调膜组成及密度的含硅膜的方法与装置，其中通过热原子层沉积或热化学气相沉积来形成含硅膜，并用致密化气体等离子体处理含硅膜。
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公开(公告)号：CN117836904A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057445.6
申请日：2022-08-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杨诺亚 , 普尔凯特·阿加瓦尔 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚 , 张净云 , 何钟硕
IPC: H01L21/033 , H01L21/02
Abstract: 提供了通过以下方式形成用于多重图案化方案的间隔物材料的方法和装置：在多重图案化方案期间，在沉积间隔物材料之前在含碳心轴上沉积牺牲层，并且在含碳心轴上沉积间隔物的同时去除牺牲层；和/或使用在原子层沉积期间涉及等离子体处理的软原子层沉积，以在心轴上直接形成至少初始间隔物材料层。
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公开(公告)号：CN115768918A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202280005167.X
申请日：2022-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本文描述的技术涉及用于最小化氧化锡室清洁时间的方法和装置。在许多情况下，该室是用于在半导体衬底上沉积氧化锡的沉积室。该技术涉及将室表面暴露于由包括还原化学物质的第一等离子体产生气体产生的第一等离子体以将氧化锡还原成锡，然后将室表面暴露于由包括还原化学物质的第二等离子体产生气体产生的第二等离子体和有机添加剂化学从室表面去除锡。在一些情况下，用于将氧化锡还原为锡的第一等离子体还包括惰性气体。
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公开(公告)号：CN308806025S
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202230216489.1
申请日：2022-04-18
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：具有气体偏转器的轮轴的气体偏转器部分。
2.本外观设计产品的用途：产品整体“具有气体偏转器的轮轴”用于在半导体处理设备中偏转和/或引导流到其上的气体或流体。
产品局部“具有气体偏转器的轮轴的气体偏转器部分”用于偏转气体或流体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。
5.指定设计1为基本设计。
6.其他需要说明的情形其他说明：点划线描绘受和未受保护区域之间过渡的边界线；灰色阴影用以突出点划线内的区域；该灰色阴影部分表示要求保护的部分，并且视图中的灰色阴影部分不请求保护色彩；以细线表示的切线不是实际可见的线性特征，仅指两表面间的平滑过渡。
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