公开(公告)号：CN111321464A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911232930.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  奥野好成 ,  金田一麟平

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。

公开(公告)号：CN109841541A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。

公开(公告)号：CN111261548A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911188852.7

申请日：2019-11-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。

公开(公告)号：CN110878429A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910826274.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座，具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。

公开(公告)号：CN109778144A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811323045.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  儿玉友弘

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

公开(公告)号：CN109841541B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。

公开(公告)号：CN111321464B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201911232930.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 梅田喜一 ,  奥野好成 ,  金田一麟平

IPC: C30B25/10 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。

公开(公告)号：CN113053799A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011484053.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 马渊雄一郎 ,  梅田喜一

IPC: H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种应用于圆盘状晶圆的表面处理的基座，其中，所述基座具有与所述圆盘状晶圆的背面接触从而对所述圆盘状晶圆的背面进行支撑的至少三个支撑部，所述支撑部设置于所述基座的凸区域，在与所述圆盘状晶圆平行的平面视图中，所述支撑部的面积与所述凸区域的面积之比为10％以下。

公开(公告)号：CN109778144B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201811323045.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  儿玉友弘

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

公开(公告)号：CN115704109A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210915297.9

申请日：2022-08-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0×1014cm‑3。