公开(公告)号：CN115704109A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210915297.9

申请日：2022-08-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0×1014cm‑3。

公开(公告)号：CN115704106A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210915294.5

申请日：2022-08-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 田中健胜 ,  梅田喜一

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×1012cm‑3。