公开(公告)号：CN101578715A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880002247.X

申请日：2008-01-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  横山泰典 ,  酒井浩光

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的III族氮化物化合物半导体元件，具有：基板；设置于所述基板上的中间层；和基底层，所述基底层设置于所述中间层上，(0002)面的摇摆曲线半值宽度为100弧度秒以下，且(10－10)面的摇摆曲线半值宽度为300弧度秒以下。另外，本发明的III族氮化物化合物半导体元件的制造方法具有采用溅射法形成所述中间层的工序。

公开(公告)号：CN101689592A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022134.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。

公开(公告)号：CN101438429A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。

公开(公告)号：CN101689592B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880022134.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。

公开(公告)号：CN101438429B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。