公开(公告)号：CN102822308A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016460.8

申请日：2011-03-23

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木胜

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及研磨剂，其特征在于，其是用于对包含由氧化硅形成的面和由金属形成的面的被研磨面进行化学机械性研磨的研磨剂，所述研磨剂含有氧化铈颗粒、络合剂和水。

公开(公告)号：CN105895518A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610084889.5

申请日：2016-02-14

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木胜 ,  大槻寿彦

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种研磨剂、研磨方法和半导体集成电路装置的制造方法，所述研磨剂的特征在于，其含有氧化铈粒子、水溶性多胺、氢氧化钾、选自有机酸及其盐中的至少一者、和水，且其pH为10以上。

公开(公告)号：CN102210012B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200980144459.6

申请日：2009-10-07

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木胜 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/321 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。

公开(公告)号：CN102822308B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201180016460.8

申请日：2011-03-23

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木胜

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  B24B37/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及研磨剂，其特征在于，其是用于对包含由氧化硅形成的面和由金属形成的面的被研磨面进行化学机械性研磨的研磨剂，所述研磨剂含有氧化铈颗粒、络合剂和水。

公开(公告)号：CN102210012A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144459.6

申请日：2009-10-07

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 铃木胜 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。