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公开(公告)号：CN102210012A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144459.6
申请日：2009-10-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。
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公开(公告)号：CN101346804A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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公开(公告)号：CN102210012B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200980144459.6
申请日：2009-10-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/321 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。
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公开(公告)号：CN101512733A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033617.1
申请日：2007-09-10
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种抛光技术，其确保当在半导体集成电路装置的制造中对待抛光面进行抛光时可以获得硼磷硅酸盐玻璃材料层与其它材料之间合适的抛光速率比，从而可以实现包含硼磷硅酸盐玻璃材料层的待抛光面的高度平坦化。本发明涉及化学机械抛光用抛光剂，包含二氧化铈粒子，水溶性多胺，选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及水，其中该抛光剂的pH值为10至13，且其中碱性化合物的含量大于0.01质量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346804B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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公开(公告)号：CN1306562C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN02820724.6
申请日：2002-10-23
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 使苯并三唑等的杂环苯化合物溶解于选自碳原子数为1-4的伯醇、碳原子数为2-4的二醇、式2所示的醚(m为1-4的整数)，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯及碳酸亚丙基酯中的1种以上中，并和构成磨粒的氧化物微粒的水分散液混合而制得研磨剂。在研磨由形成在绝缘膜2上的配线金属膜4和阻挡膜3构成的基板时，通过使用该研磨剂，可研磨速度高形成凹陷少、磨耗少、划痕少的埋入配线5。
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公开(公告)号：CN1672246A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817513.4
申请日：2003-07-22
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种半导体用研磨剂，它是含氧化铈研磨粒子、水和添加剂的半导体用研磨剂，其特征在于，上述添加剂选自水溶性有机高分子和阴离子性表面活性剂中的1种以上，25℃的上述研磨剂的pH为3.5－6，并且上述添加剂的总的浓度是研磨剂总重量的0.01－0.5％。该研磨剂同时具有分散稳定性、优异的刻痕性以及优异的研磨的平坦性。特别是在研磨硅基板上形成硅化氮膜3和硅氧化膜2而成的半导体基板时，该研磨剂可获得凹陷偏差少的优异的研磨平坦化特性，另外若使用该研磨剂时，可缩短研磨图形晶片的时间。
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公开(公告)号：CN1572017A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02820724.6
申请日：2002-10-23
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 使苯并三唑等的杂环苯化合物溶解于选自碳原子数为1－4的伯醇、碳原子数为2－4的二醇、式2所示的醚(m为1－4的整数)，N－甲基－2－吡咯烷酮、N，N－二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ－丁内酯及碳酸亚丙基酯中的1种以上中，并和构成磨粒的氧化物微粒的水分散液混合而制得研磨剂。在研磨由形成在绝缘膜2上的配线金属膜4和阻挡膜3构成的基板时，通过使用该研磨剂，可研磨速度高形成凹陷少、磨耗少、划痕少的埋入配线5。
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公开(公告)号：CN100369211C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN03817513.4
申请日：2003-07-22
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种半导体用研磨剂，它是含氧化铈研磨粒子、水和添加剂的半导体用研磨剂，其特征在于，上述添加剂选自水溶性有机高分子和阴离子性表面活性剂中的1种以上，25℃的上述研磨剂的pH为3.5-6，并且上述添加剂的总的浓度是研磨剂总重量的0.01-0.5%。该研磨剂同时具有分散稳定性、优异的刻痕性以及优异的研磨的平坦性。特别是在研磨硅基板上形成硅化氮膜3和硅氧化膜2而成的半导体基板时，该研磨剂可获得凹陷偏差少的优异的研磨平坦化特性，另外若使用该研磨剂时，可缩短研磨图形晶片的时间。
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