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公开(公告)号：CN102210013B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980144890.0
申请日：2009-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/768 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，该研磨用组合物含有脂环族树脂酸、胶体二氧化硅和四甲基铵离子，所述胶体二氧化硅在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内。
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公开(公告)号：CN101346804B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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公开(公告)号：CN101454121A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019563.3
申请日：2007-05-24
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K2201/0209 , H05K2203/025 , H05K2203/0796
Abstract: 本发明提供能够以较快的研磨速度对被研磨物进行研磨同时具备良好的阶差消除性的研磨剂组合物。另外，还提供可在抑制配线电阻上升的同时快速地对配线金属进行研磨且阶差消除性良好的研磨方法。研磨剂组合物包含磨粒，氧化剂，铵离子，多元羧酸根离子，选自五亚乙基六胺、三亚乙基四胺及四亚乙基五胺的至少1种螯合剂，水系介质。此外，研磨方法是使用该研磨剂组合物，在树脂基材(1)设置配线槽(2)，将配线金属(3)埋入配线槽(2)后对配线金属(3)进行研磨。
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公开(公告)号：CN101346804A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680048728.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682354A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822423.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 研磨剂组合物，它是用于基板的研磨的化学机械研磨用研磨材料，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷及(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上，更好的是为了防止配线金属部的凹陷，还含有具有在配线金属表面形成保护膜的功能的苯并三唑等化合物。
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公开(公告)号：CN1679145A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
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公开(公告)号：CN102210013A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144890.0
申请日：2009-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，该研磨用组合物含有脂环族树脂酸、胶体二氧化硅和四甲基铵离子，所述胶体二氧化硅在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内。
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公开(公告)号：CN100370587C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN03821131.9
申请日：2003-09-05
Applicant: 旭硝子株式会社 , 清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 为了对应用于半导体集成电路的、由具有C-Si键及Si-O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水以及选自稀土类氢氧化物、稀土类氟化物、稀土类氟氧化物、氧化铈以外的稀土类氧化物及它们的复合化合物的1种或1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。
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公开(公告)号：CN1682354B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03822423.2
申请日：2003-09-25
Applicant: 清美化学股份有限公司 , 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 研磨剂组合物，它是用于基板的研磨的化学机械研磨用研磨材料，含有(A)磨粒、(B)水系介质、(C)酒石酸、(D)三羟基甲基氨基甲烷及(E)选自丙二酸和马来酸的1种或1种以上，更好的是为了防止配线金属部的凹陷，还含有具有在配线金属表面形成保护膜的功能的苯并三唑等化合物。
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