公开(公告)号：CN113614292B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201980081621.8

申请日：2019-04-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少、且呈现高介电击穿电场特性的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，杂质浓度和/或异相量在半导体膜的表面和背面不同。

公开(公告)号：CN113574214B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201980081291.2

申请日：2019-09-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板是具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层的基底基板，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，取向层包含：选自由α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的材料、或者含有选自由α－Al2O3、α－Cr2O3、α－Fe2O3、α－Ti2O3、α－V2O3及α－Rh2O3构成的组中的2种以上的固溶体，刚玉型结晶结构的(104)晶面的X射线摇摆曲线半值宽度为500arcsec.以下。

公开(公告)号：CN118284723A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077170.2

申请日：2022-03-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林博治 ,  小川博久 ,  渡边守道

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明提供一种在加工(磨削、研磨、切断等)时不易发生崩边的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是包含碳原子和稀土原子作为杂质的AlN单晶基板，其中，将AlN单晶基板中的碳原子浓度(atoms/cm3)记作CC、将稀土原子浓度(atoms/cm3)记作CRE时，满足下列关系式：0.0010＜CRE/CC＜0.2000。

公开(公告)号：CN116018260A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180054549.7

申请日：2021-06-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: B32B9/00

Abstract: 本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。

公开(公告)号：CN113677833A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980093708.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106/cm2以下。

公开(公告)号：CN108349823B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201680061130.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 佐藤圭 ,  前田高宏 ,  渡边守道 ,  七泷努

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/10

Abstract: 本发明的取向烧结体的制造方法包含如下工序：(a)制作微细原料粉末层与板状原料粉末层交替层叠而成的层叠体，上述板状原料粉末层是板状原料粒子以板表面沿着上述微细原料粉末层的表面的方式排列而成的；(b)对上述层叠体进行烧成。

公开(公告)号：CN107098686B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201610821505.3

申请日：2011-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  胜田祐司 ,  早濑徹 ,  神藤明日美

IPC: H01L21/205 ,  C04B35/111 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645

Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度(1500℃)进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度(最高温度)下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2％的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。

公开(公告)号：CN105679663B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610080984.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C04B35/581 ,  C04B35/04

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁‑铝氮氧化物相。

公开(公告)号：CN108305923A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810324504.7

申请日：2015-03-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  仓冈義孝 ,  七泷努

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN107001148A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580047884.9

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C04B35/115 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90％以上，该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的，使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零，Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度，因此，具有比以往高的透光性。