公开(公告)号：CN119895555A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202280006020.2

申请日：2022-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  井上靖也

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其具有晶片载放面22a且内置有电极；金属－陶瓷复合材料制的冷却板30，其具有冷媒流路32；以及接合层40，其将两个板20、30接合。从晶片载放面22a至冷媒流路32的上底及下底中的至少一者的长度在冷媒流路32的整体中并非恒定，而是存在该长度发生变化的部分。冷却板30为将包括彼此接合的第一薄型板部81及第二薄型板部82的多个板部进行金属接合得到的结构，第一薄型板部81具有第一流路部，该第一流路部是设置成俯视为与冷媒流路32相同形状的贯通沟。第二薄型板部82具有第二流路部，该第二流路部为设置于与第一流路部对置的位置的至少一部分的有底沟。

公开(公告)号：CN115985743B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202210678777.8

申请日：2022-06-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。

公开(公告)号：CN116959942A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310005571.3

申请日：2023-01-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种晶片载放台，能够使陶瓷基材的正上方区域的等离子体密度提高。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)；导电性基材(30)，其设置于陶瓷基材(20)的下表面侧，兼用作等离子体发生电极，直径与陶瓷基材(20)的直径相同；支撑基材(40)，其设置于导电性基材(30)的下表面侧，直径大于导电性基材(30)的直径，且与导电性基材(30)电绝缘；以及安装用凸缘(42)，其为支撑基材(40)的比导电性基材(30)向半径方向外侧突出的部分。

公开(公告)号：CN116895587A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211703797.2

申请日：2022-12-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及晶片载放台，课题在于：改善晶片的均热性、并且防止气体中间通路内的放电。晶片载放台(10)具备：陶瓷板(20)，内置有电极(22)；导电性板(30)，设置于陶瓷板(20)的下表面侧；导电性接合层(40)，将陶瓷板(20)与导电性板(30)接合；气体中间通路(50)，设置于导电性接合层(40)与导电性板(30)的界面；多个气体供给通路(52)，它们从气体中间通路(50)贯通导电性接合层(40)及陶瓷板(20)而到达晶片载放面(21)；气体导入通路(54)，它们设置为在上下方向贯通导电性板(30)而与气体中间通路(50)连通，数量比与气体中间通路(50)连通的气体供给通路(52)的数量少。

公开(公告)号：CN111226309B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880067044.2

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  森冈育久 ,  相川贤一郎

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00

Abstract: 静电卡盘组件(15)具备：陶瓷体(22)，其在作为圆形表面的晶片载置面(22a)的外周部具有位置比晶片载置面(22a)低的F/R载置面(28a)；晶片吸附用电极(32)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与晶片载置面(22a)对置的位置；F/R吸附用电极(38)，其埋设于陶瓷体(22)的内部中的与F/R载置面(28a)对置的位置；用于积存气体的凹凸区域(29)，其设置于F/R载置面(28a)的表面；聚焦环(50)，其载置于F/R载置面(28a)；以及一对弹性环状密封材料(60)，其处于聚焦环载置面(28a)与聚焦环(50)之间且以包围凹凸区域(29)的方式配置于F/R载置面(28a)的内周侧和外周侧。

公开(公告)号：CN116110766A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210788357.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也 ,  森冈育久

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片载放台，提高晶片的均热性。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及金属接合层(40)。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)具有冷媒流路(32)。金属接合层(40)将陶瓷基材(20)和冷却基材(30)接合。关于冷媒流路(32)中的俯视与晶片载放面(22a)重复的区域处的最上游部(32U)和最下游部(32L)的冷媒流路(32)的顶面至晶片载放面(22a)的距离(d)，最下游部(32L)的距离(d)比最上游部(32U)的距离(d)短。

公开(公告)号：CN115472483A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210262384.9

申请日：2022-03-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井上靖也 ,  久野达也

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用构件，其利用保护材料保护将陶瓷加热器与金属基座粘接的粘接材料，并且防止由粘接材料与保护材料的热膨胀差引起的不良情况的产生。作为半导体制造装置用构件的聚焦环(FR)载置台具备：圆环状的FR用陶瓷加热器、作为金属基座的FR用冷却板、作为粘接FR用冷却板与FR用陶瓷加热器的粘接材料的粘接片、以包围粘接片的周围的方式设置在FR用陶瓷加热器与FR用冷却板之间的粘接性的内周侧及外周侧保护材料。在粘接片与内周侧保护材料之间设置有内周侧空隙层。在粘接片与外周侧保护材料之间设置有外周侧空隙层。

公开(公告)号：CN109478531A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201880002838.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  渡边玲雄

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供晶片用基座。对于绝缘管(30)而言，绝缘管(30)的抵接面(34a)与冷却板(20)的制动面(27a)抵碰。由此，阻止绝缘管(30)继续向螺孔(26)进入，绝缘管(30)的环状突起部(33)的前端面(33a)定位在不与板(12)接触的预定位置，并且O型圈(40)在绝缘管(30)的阶梯差面(32a)与平板(12)的下表面之间被加压而变形预定量。

公开(公告)号：CN119968700A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202280007295.8

申请日：2022-10-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 石川征树 ,  久野达也 ,  伊奈友也

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面至少具有晶片载放部22；冷却板30，其接合于陶瓷板20的下表面，且具有冷媒流路32；气体通用路径51b、52b、53b，其设置成比冷媒流路32更靠上方；气体导入路径51a、52a、53a，其从冷却板30的下表面分别通至各个气体通用路径51b、52b、53b；以及气体分配路径51e、52e、53e，其相对于各个气体通用路径51b、52b、53b而设置有多个。配置于陶瓷板20的最外周的气体分配路径53e设置于俯视不与冷媒流路32重叠的位置。

公开(公告)号：CN119698691A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202280006069.8

申请日：2022-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 久野达也 ,  宇佐美太朗 ,  石川征树

IPC: H01L21/683

Abstract: 晶片载放台(10)的上部基材(20)具备内置有电极(22)的陶瓷基材(21)，在陶瓷基材(21)的上表面具有晶片载放面(21a)。下部基材(30)配置在上部基材(20)的下表面侧，具备制冷剂流路(35)。贯通孔(36)沿上下方向贯通下部基材(30)。突起(38)呈点状设置在下部基材(30)的整个上表面，与上部基材(20)的下表面抵接。散热片(40)具有插入突起(38)的突起插入孔(44)，以在上部基材(20)和下部基材(30)之间被压缩的状态配置。螺纹孔(24)设置于上部基材(20)的下表面中与贯通孔(36)对置的位置，螺纹部件(50)从下部基材(30)的下表面插入贯通孔(36)而与螺纹孔(24)螺合。导热膏(60)介于突起(38)的侧面与散热片(40)的突起插入孔(44)的内周面之间。